Guangzhou Minder-Hightech Co., Ltd.

HOME
ΠΟΙΟΙ ΕΙΜΑΣΤΕ
MH Εξοπλισμός
Λύση
Χρήστες από το εξωτερικό
Βίντεο
ΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΑ
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-42
Αρχική σελίδα> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών
  • Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών

Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP) Εξοπλισμός ημιαγωγών Ελλάδα

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΠΡΟΪΟΝΤΟΣ
Σύστημα χάραξης πλάσματος επαγωγικής σύζευξης (icp).
Σύστημα χάραξης πλάσματος επαγωγικής ζεύξης (ICP) Λεπτομέρειες εξοπλισμού ημιαγωγών
Προμηθευτής εξοπλισμού ημιαγωγών με επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP).
Σύστημα χάραξης πλάσματος επαγωγικής ζεύξης (ICP) Εργοστάσιο εξοπλισμού ημιαγωγών
Αποτέλεσμα διαδικασίας

Χαλαζία / πυρίτιο / χάραξη τριψίματος

Χρησιμοποιώντας μάσκα BR για χάραξη υλικών χαλαζία ή πυριτίου, το μοτίβο της διάταξης τριψίματος έχει την πιο λεπτή γραμμή έως 300 nm και η απότομη κλίση του μοτίβου στο πλευρικό τοίχωμα είναι κοντά σε > 89°, η οποία μπορεί να εφαρμοστεί σε τρισδιάστατη οθόνη, μικροοπτικές συσκευές, οπτικοηλεκτρονική επικοινωνία. και τα λοιπά
Σύστημα χάραξης πλάσματος επαγωγικής ζεύξης (ICP) Εργοστάσιο εξοπλισμού ημιαγωγών

Σύνθετη / ημιαγωγική χάραξη

Ο ακριβής έλεγχος της θερμοκρασίας της επιφάνειας του δείγματος μπορεί να ελέγξει καλά τη μορφολογία χάραξης των υλικών με βάση το GaN, τα GaAs, το InP και τα μεταλλικά υλικά. Είναι κατάλληλο για συσκευές μπλε lED, λέιζερ, οπτική επικοινωνία και άλλες εφαρμογές.
Επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System ( ICP ) Κατασκευή εξοπλισμού ημιαγωγών

Χάραξη υλικού με βάση το πυρίτιο

Είναι κατάλληλο για χάραξη υλικών με βάση το πυρίτιο όπως Si, SiO2 και SiNx. Μπορεί να πραγματοποιήσει χάραξη γραμμής πυριτίου πάνω από 50nm και χάραξη βαθιάς οπής πυριτίου κάτω από 100um
Σύστημα χάραξης πλάσματος επαγωγικής ζεύξης (ICP) Εργοστάσιο εξοπλισμού ημιαγωγών
Χαρακτηριστικά
Διάγραμμα διαμόρφωσης έργου και δομής μηχανής
Είδος
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Μέγεθος προϊόντων
≤6 ίντσες
≤8 ίντσες
≤6 ίντσες
≤8 ίντσες
Προσαρμοσμένο≥12 ίντσες
Πηγή ισχύος SRF
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
Πηγή ισχύος BRF
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
Μοριακή αντλία
Μη διαβρωτικό : 600 /1300 (L/s)/Προσαρμοσμένο
Αντιδιαβρωτικό:600 /1300 (L./s)/Προσαρμ
600/1300(L/s) /Προσαρμ
Αντλία εμπρός γραμμής
Μηχανική αντλία / ξηρή αντλία
Αντιδιαβρωτική ξηρή αντλία
Μηχανική αντλία / ξηρή αντλία
Αντλία προάντλησης
Μηχανική αντλία / ξηρή αντλία
Μηχανική αντλία / ξηρή αντλία
Πίεση διαδικασίας
Μη ελεγχόμενη πίεση/0-0.1/1/10 Torr ελεγχόμενη πίεση
Τύπος αερίου
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom
(Έως 12 κανάλια, χωρίς διαβρωτικό και τοξικό αέριο)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Προσαρμοσμένο (έως 12 κανάλια)
Εύρος αερίου
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
LoadLock
Ναι όχι
Ναι
Δείγμα ελέγχου θερμοκρασίας
10°C~Δωματίου/ -30°C~150°C /Προσαρμοσμένο
-30°C~200°C/Προσαρμοσμένο
Πίσω ψύξη ηλίου
Ναι όχι
Ναι
Επένδυση κοιλότητας διεργασίας
Ναι όχι
Ναι
Έλεγχος θερμοκρασίας τοιχώματος κοιλότητας
Όχι/Θερμ. δωματίου-60/120°C
Θερμοκρασία δωματίου~60/120°C
Σύστημα ελέγχου
Αυτόματο/προσαρμοσμένο
Υλικό χάραξης
Βάση πυριτίου: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Οργανικά υλικά: PR/Οργανικά
ταινία......
Βάση πυριτίου: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Μαγνητικό υλικό / υλικό κράματος
Μεταλλικά υλικά: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Οργανικά υλικά: PR/Organic film......
Βαθιά χάραξη πυριτίου
Συσκευασία & παράδοση
Προμηθευτής εξοπλισμού ημιαγωγών με επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP).
Σύστημα χάραξης πλάσματος επαγωγικής ζεύξης (ICP) Λεπτομέρειες εξοπλισμού ημιαγωγών
Εταιρικό Προφίλ
Έχουμε 16 χρόνια εμπειρίας στις πωλήσεις εξοπλισμού. Μπορούμε να σας παρέχουμε επαγγελματική λύση εξοπλισμού γραμμής πακέτου One-stop Semiconductor Front-end και Back end Package από την Κίνα.
Προμηθευτής εξοπλισμού ημιαγωγών με επαγωγική σύζευξη Plasma Etching System (ICP).

Ερώτηση

product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-69Ερώτηση product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-70Email product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-71WhatsApp product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-72 WeChat
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-73
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-74Κορυφή
×

Ελάτε σε επαφή