Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.
EN
Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.
Λάβε Εγγραφή

Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

αρχική σελίδα
Σχετικά με Εμάς
MH Equipment
Λύση
Χρήστες Εκτός Από την Επιχείρηση
Βίντεο
Επικοινωνία μαζί μας
Αρχική> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών
  • Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών

Σύστημα Ετσιμών Πλάσματος Με Αναπόσπαστη Σύνδεση (ICP) Εξοπλισμός Ημιαγωγών

Λάβετε Δωρεάν Προσφορά
Περιγραφή Προϊόντος
Σύστημα έτσιμα πλάσματος με ενδοφορική σύνδεση (icp)
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Αποτέλεσμα διαδικασίας

Κρυστάλλινο / άνθρακας / έτσιμα φραγμών

Χρησιμοποιώντας BR φραγμό για το έτσιμα κρυστάλλινων ή άνθρακα υλικών, το πρότυπο φραγμού φραγμών έχει τις λεπτότερες γραμμές μέχρι 300nm και το κάθετο βάθος του προτύπου είναι κοντά > 89° , που μπορεί να χρησιμοποιηθεί για 3D εμφάνιση, μικρο-οπτικά συσκευάσματα, φωτοηλεκτρική επικοινωνία, κλπ
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Έτσιμα συνθετικών / ημιαγωγών

Η ακριβής ελεγχόμενη θερμοκρασία της επιφάνειας δειγματοσυγκεντρωτή μπορεί να ελέγξει καλά τη μορφολογία ενδονόμησης των υλικών με βάση GaN, GaAs, InP και μετάλλινων. Είναι κατάλληλο για συσκευές μπλου LED, λέιζερ,οπτική επικοινωνία και άλλες εφαρμογές.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Εξαγωγή βασικού υλικού σιλικίου

Είναι κατάλληλο για την ενδονόμηση υλικών με βάση κρύσταλλο όπως Si, SiO2 και SiNx. Μπορεί να πραγματοποιήσει ενδονόμηση γραμμής κρύσταλλου μεγαλύτερη από 50nm και βαθιά ενδονόμηση τρυπιών κρύσταλλου κάτω από 100μm.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Περιγραφή
Διάγραμμα διαμόρφωσης έργου και δομής μηχανήματος
Αντικείμενο
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Μέγεθος Προϊόντος
≤6 ευσταθών
≤8 ευσταθών
≤6 ευσταθών
≤8 ευσταθών
Περιστομένο ≥12 ευστραφών
Ηλεκτρική πηγή SRF
0~1000W/2000W/3000W/5000W Προσαρμόσιμος, αυτόματη σύμπτωση\, 13.56MHz/27MHz
Ηλεκτρική πηγή BRF
0~300W/0~500W/0~1000W Προσαρμόσιμος, αυτόματη σύμπτωση, 2MHz/13.56MHz
Μοριακός Κύλινδρος
Χωρίς διάβρωση: 600/1300 (L/s) / Περιστομένο
Κατά διάβρωση: 600/1300 (L/s) / Περιστομένο
600/1300 (L/s) / Περιστομένο
Συμπυκνωτική μετάβαση
Μηχανική μπομπά / ξερή μπομπά
Αντιφθορική ξερή μπομπά
Μηχανική μπομπά / ξερή μπομπά
Μπομπά προ-εξέλιξης
Μηχανική μπομπά / ξερή μπομπά
Μηχανική μπομπά / ξερή μπομπά
Πίεση προϊόντος
Ανελεγχάς πίεση/0-0.1/1/10Torr ελεγχόμενη πίεση
Τύπος αερίου
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Προσαρμογή
(Έως 12 κανάλια, χωρίς φθορικά & δηλητηριώδη αέρια)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Προσαρμογή (Έως 12 κανάλια)
Περιοχή αερίου
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Προσαρμογή
ΦόρτωσηΚλείδωμα
Ναι/Όχι
Ναι
Δειγματική ελέγχου θερμοκρασίας
10°C~Θερμοκρασία Δωματίου/-30°C~150°C/Προσαρμογή
-30°C~200°C/Προσαρμογή
Υποστήριξη ψύξης με λιθium
Ναι/Όχι
Ναι
Ενδιάμεση στέγαση καβούρντα
Ναι/Όχι
Ναι
Έλεγχος θερμοκρασίας του τοιχώματος
Όχι/Θερμοκρασία Δωματίου-60/120°C
Θερμοκρασία Δωματίου~60/120°C
Σύστημα Ελέγχου
Αυτόματο/Προσαρμογή
Υλικό εκτύπωσης
Βάση Σιλίκιου: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Οργανικά υλικά: PR/Οργανικό
ταινία......
Βάση Σιλίκιου: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Φερροτικό υλικό / υλικό αλλοιώματος
Μεταλλικά υλικά: Ni/ Cr/ Al/ Cu/ Au...
Οργανικά υλικά: PR/ Οργανική ταινία......
Βαθιά εξέδρα σε Σιλίκιο
Συσκευασία & Παράδοση
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Προφίλ Εταιρείας
Έχουμε 16 χρόνια εμπειρίας στην πώληση εξαρτημάτων. Μπορούμε να σας προσφέρουμε επαγγελματική λύση για κατασκευαστική γραμμή εξοπλισμών για τον πρώτο και δεύτερο αλληλεπτρο της βιομηχανίας παραγωγής παραγωγών μεμονωμένων από την Κίνα.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Περισσότερα Προϊόντα

Ερώτημα

Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. All Rights Reserved

Πολιτική Απορρήτου

Ερώτημα Email whatsapp Top
×

ΣΥΝΔΕΘΕΙΤΕ ΜΑΖΙ ΜΑΣ