این تجهیزات عمدتاً برای توسعه و تولید مدارهای مجتمع کوچک و متوسط، اجزای نیمه هادی و دستگاه های موج صوتی سطحی استفاده می شود. این دستگاه به دلیل مکانیزم تسطیح پیشرفته و نیروی تسطیح کم، نه تنها برای قرار گرفتن در معرض انواع زیرلایه ها، بلکه برای قرار گرفتن در معرض لایه های به راحتی تکه تکه شده مانند آرسنید پتاسیم و فولاد فسفات و همچنین قرار گرفتن در معرض مواد غیر قابل استفاده است. بسترهای دایره ای و کوچک
مشخصات
پارامترهای فنی اصلی
1. نوع قرار گرفتن در معرض: قرار گرفتن در معرض یک طرفه 2. منطقه قرار گرفتن در معرض: 110X110mm. 3. یکنواختی قرار گرفتن در معرض: ≥ 97٪. 4. شدت نوردهی: 0-30mw/cm2 قابل تنظیم. 5. زاویه پرتو UV: ≤ 3 درجه 6. طول موج مرکزی نور ماوراء بنفش: 365 نانومتر. 7. طول عمر منبع نور UV: ≥ 20000 ساعت؛ (2 سال ضمانت) 8. اتخاذ شاتر الکترونیکی. 9. وضوح نوردهی: 1 میکرومولار 10. محدوده نمای کامارا: ± 15 میلی متر Y: ± 15 میلی متر 11. محدوده تراز: x: ± 4 میلی متر Y: ± 4 میلی متر Q: ± 3 درجه. 12. دقت تراز: 1um (در شرایط محیطی خوب) 13. محدوده فاصله جدایی: 0-50m قابل تنظیم. 14. روش قرار گرفتن در معرض: قرار گرفتن در معرض تماس. (لمس سخت / نرم / میکرو) 15.روش تعادل: شناورسازی هوایی. 16. سیستم میکروسکوپی: سیستم CCD میدان دید دوگانه، لنز شیئی 1.6X~10X، سیستم پردازش تصویر کامپیوتری، نمایشگر LCD 19 اینچی؛ بزرگنمایی کل 91-570x. فاصله هدف: 50-120 میلی متر. 17. اندازه ماسک: 127 * 127 میلی متر؛ 102 * 102 میلی متر 18. اندازه بستر: Φ102mm；Φ76mm 19. ضخامت بستر: ≤1mm 20. زمان قرار گرفتن در معرض: 0-999.9 ثانیه قابل تنظیم. 21. قدرت: 220 ولت 50 هرتز 1.5 کیلووات. 22.منبع هوا؟0.4Mpa 23. درجه خلاء: -0.07MPa~-0.09Mpa
بسته بندی و تحویل
نمایه شرکت
ما 16 سال تجربه در فروش تجهیزات داریم. ما می‌توانیم راه‌حل حرفه‌ای تجهیزات نیمه‌هادی جلویی و پشتی خط بسته‌بندی یک مرحله‌ای از چین را به شما ارائه دهیم.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
نه
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
