Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

etusivu
Tietoa meistä
MH Equipment
Ratkaisu
Merkkivaltioiden käyttäjät
video
Ota yhteyttä
Etusivu> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto
  • Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto

Induktiivinen plasma-etsintäjärjestelmä (ICP) semiconductor-laitteisto

Tuotekuvaus
Induktivo kiinnitys plasma etching (icp) järjestelmä
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Prosessitulos

Kivihiili / silika / raami etching

Käyttämällä BR peitea maskia etched kivihiili- tai silika-aineista, raami taulukkojärjestelmä kuvaus on ohut viiva ylös 300nm ja kuvaus sivuseinaan kaltevuus on lähellä > 89° , mikä voidaan soveltaa 3D-näyttöihin, mikrooptisiin laitteisiin, optoelektroniikkakommunikaatioon jne
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Yhdiste / semiconductor etching

Näytteen pinta-temperatuurin tarkka ohjaus mahdollistaa hyvän hallinnan GaN-perustaisen, GaAs, InP ja metallimateriaalien etkistymismuodon. Se sopii sinisille LED-laitteille, laserille, optiseen viestintään ja muihin sovelluksiin.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Kivipohjaisen materiaalin kuoppaus

Se sopii harpaleiden perustaisien materiaalien, kuten Si, SiO2 ja SiNx, etkistykselle. Se voi toteuttaa harpalen viivan etkistyksen yli 50nm ja harpalen syvän aukon etkistyksen alle 100um.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
MITTATIETOE
Hankkeen konfiguraatio ja koneen rakennuskaavio
Tuote
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Tuotteen koko
≤6 tuumaa
≤8 tuumaa
≤6 tuumaa
≤8 tuumaa
Mukautettu ≥12tuumaa
SRF Energianlähde
0~1000W/2000W/3000W/5000W Säätökykyinen, automaattinen sovitteleminen\, 13.56MHz/27MHz
BRF Energianlähde
0~300W/0~500W/0~1000W Säätökykyinen, automaattinen sovitteleminen, 2MHz/13.56MHz
Molekyylikumpi
Ei korrosiivinen: 600/1300 (L/s)/Mukautettu
Korrosioon vastustava: 600/1300 (L/s)/Mukautettu
600/1300(L/s)/Mukautettu
Foreline-pumpu
Mekaaninen pommi / kuiva pommi
Anti-korrosio kuiva pommi
Mekaaninen pommi / kuiva pommi
Esipomituspommi
Mekaaninen pommi / kuiva pommi
Mekaaninen pommi / kuiva pommi
Prosessipaine
Hallittu paine 0-0.1/1/10 Torr / hallittu paine
Kaasutyypi
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Mukautettu
(Tähän saakka 12 kanavaa, ei korrosiivista eikä myrkyllistä kaasua)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Mukautettu (tähän saakka 12 kanavaa)
kaasulaitteiden vaihtelualue
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Mukautettu
Latauslukko
Kyllä/Ei
Kyllä
Näyte lämpötilaohjaus
10°C~Huoneilmaperät/l -30°C~150°C /Mukautettu
-30°C~200°C/Mukautettu
Taustahelium jäähdytys
Kyllä/Ei
Kyllä
Prosessihoitokorin kattaus
Kyllä/Ei
Kyllä
Hoitokorin seinän lämpötilaohjaus
Ei/Huoneilmaperät-60/120°C
Huoneilmaperät~60/120°C
Ohjausjärjestelmä
Auto/muokattu
Etusmateriaali
Kuparipohjainen: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Orgaaniset materiaalit: PR/Orgaaninen
peli......
Kuparipohjainen: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Magneettinen materiaali \/ hopeamateriaali
Metallimateriaalit: Ni\/Cr\/Al\/Cu\/Au...
Orgaaniset materiaalit: PR\/Orgaaninen elokuva......
Siliikki syväetsintä
Pakkaus & Toimitus
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Yrityksen profiili
Meillä on 16 vuotta kokemusta laitteiden myynnistä. Voimme tarjota sinulle yhdenmukaisen ratkaisun semioperaattorien edustajan ja jälkeenpäin pakkauslinjan laitteista Kiinasta.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Kysely

Kysely Email whatsapp Top
×

Ota yhteyttä