Fournir un équipement RTP fiable pour les semi-conducteurs composites, SlC, LED et MEMS
Applications dans l'industrie
* Croissance d'oxyde, de nitrure * Alliage rapide des contacts ohmiques * Recuit de l'alliage silicide * Reflux d'oxydation * Procédé à base d'arsénide de gallium * Autres processus de traitement thermique rapide
Avantages du produit
1. La plage de processus couvre 200-1250 ℃ 2. Un puissant système de gestion du champ de température 3. Algorithme RTP dédié 4. Outil de calibration professionnel TC Wafer
Caractéristique
* Chauffage par lampe infrarouge au halogène, refroidissement à l'aide de refroidissement par air; * Contrôle PID de la température pour la puissance de la lampe, qui peut contrôler précisément l'augmentation de température, garantissant une bonne reproductibilité et uniformité thermique; * L'entrée du matériau est positionnée sur la surface du WAFER pour éviter la formation de points froids pendant le processus de recuit et garantir une bonne uniformité thermique du produit; * Les méthodes de traitement à l'atmosphère et sous vide peuvent toutes deux être sélectionnées, avec un prétraitement et une purification du corps; * Deux ensembles de gaz de processus sont standard et peuvent être étendus jusqu'à 6 ensembles de gaz de processus; * La taille maximale d'un échantillon mesurable de silicium monocristallin est de 12 pouces (300x300 mm); * Les trois mesures de sécurité, à savoir la protection d'ouverture à température sécurisée, la protection d'autorisation d'ouverture du contrôleur de température et la protection d'arrêt d'urgence de l'équipement, sont pleinement mises en œuvre pour garantir la sécurité de l'instrument;
Coïncidence des courbes de 20e degré
20 courbes de contrôle de température à 850 ℃
Coïncidence de 20 courbes de température moyenne
contrôle de température à 1250 ℃
Contrôle de température RTP à 1000 ℃ pour le processus
processus à 960 ℃, contrôlé par pyromètre infrarouge
Données du processus LED
Le capteur de température RTD Wafer utilise des techniques de traitement spéciales pour intégrer des capteurs de température (RTDs) à des emplacements spécifiques sur la surface d'une wafer, permettant une mesure en temps réel de la température de surface de la wafer. Des mesures de température réelles aux emplacements spécifiques sur la wafer et la distribution générale de la température de la wafer peuvent être obtenues grâce au RTD Wafer ; il peut également être utilisé pour un suivi continu des variations de température transitoires sur les wafers pendant le processus de traitement thermique.
Vue de l'usine
Profil de l'entreprise
16 ans d'expérience dans l'exportation d'équipements ! Nous pouvons vous fournir une solution clé en main pour les processus et équipements de semi-conducteurs Front End / Back End !
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
