Traitement thermique rapide
Équipement RTP pour semi-conducteurs composés、SlC、LED et MEMS
* Croissance d'oxydes et de nitrures
* Alliage rapide à contact ohmique
* Recuit d'alliage de siliciure
*Reflux d'oxydation
* Procédé à l'arséniure de gallium
* Autres procédés de traitement thermique rapide
RTP à double chambre entièrement automatique
* Compatible avec les plaquettes de 6 à 8 pouces
* La température maximale peut atteindre 1250°c
* Reproductibilité de température stable
* Conception à double chambre entièrement automatique pour augmenter la capacité de production
* Uniformité du champ ultra-haute température
* Répondre à la demande de processus de production de masse SlC
RTP semi-automatique
* Chauffage de tube de lampe halogène infrarouge, refroidissement par refroidissement par air ;
* Contrôle de température PlD pour la puissance de la lampe, qui peut contrôler avec précision l'augmentation de la température, assurant une bonne reproductibilité et une bonne uniformité de la température ;
* L'entrée du matériau est réglée sur la surface WAFER pour éviter la production de points froids pendant le processus de recuit et assurer une bonne uniformité de température du produit ;
* Des méthodes de traitement atmosphérique et sous vide peuvent être sélectionnées, avec prétraitement et purification du corps ;
* Deux ensembles de gaz de procédé sont standard et peuvent être étendus jusqu'à 6 ensembles de gaz de procédé ;
* La taille maximale d'un échantillon de silicium monocristallin mesurable est de 12 pouces (300 x 300 mm) ;
* Les trois mesures de sécurité de protection d'ouverture de température sûre, de protection d'autorisation d'ouverture du contrôleur de température et de protection de sécurité d'arrêt d'urgence de l'équipement sont entièrement mises en œuvre pour assurer la sécurité de l'instrument ;
RTP de bureau
* Chauffage de tube de lampe halogène infrarouge, refroidissement par refroidissement par air ;
* Contrôle de température PlD pour la puissance de la lampe, qui peut contrôler avec précision l'augmentation de la température, assurant une bonne reproductibilité et une bonne uniformité de la température ;
* L'entrée du matériau est réglée sur la surface WAFER pour éviter la production de points froids pendant le processus de recuit et assurer une bonne uniformité de température du produit ;
* Des méthodes de traitement atmosphérique et sous vide peuvent être sélectionnées, avec prétraitement et purification du corps ;
* Deux ensembles de gaz de procédé sont standard et peuvent être étendus jusqu'à 6 ensembles de gaz de procédé ;
* La taille maximale d'un échantillon de silicium monocristallin mesurable est de 12 pouces (300 x 300 mm) ;
* Les trois mesures de sécurité de protection d'ouverture de température sûre, de protection d'autorisation d'ouverture du contrôleur de température et de protection de sécurité d'arrêt d'urgence de l'équipement sont entièrement mises en œuvre pour assurer la sécurité de l'instrument ;
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