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Gauche de silicium Ion RIE Étchage Réactif Photo-résistant Plasma Machine d'élimination

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Description du produit

Machine de retrait de photorésist par plasma RIE

Machine de retrait de photorésist par plasma RIE adaptée à l'etchage du carbure de silicium, au nettoyage des résidus de surface, à l'etchage d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium, etc. La cavité est adaptée aux échantillons de 4 à 8 pouces
Etchage du carbure de silicium
Nettoyage de surface après étchage
DESCUM
Couche de masque dur, enlèvement sec
Etchage d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium
Suppression de la résistance optique entre les milieux
Élimination des résidus de surface
Semicondctor wafer Silicon carbide etching RIE Reactive Ion Etching Plasma Photoresist Removal Machine factory
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Spécification
Source plasma
RF
Puissance
ICP
_
BIAS
1000W(option)
Domaine d'application
4~8 pouces
Nombre de tranches traitées individuellement
1
Dimensions extérieures
850mmx900mmx1850mm
Contrôle du système
PLC
Niveau d'automatisation
Manuel
Usine
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Emballage et livraison
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Profil de l'entreprise
16 ans d'expérience dans l'exportation d'équipements ! Nous pouvons vous fournir une solution complète pour les processus et équipements de traitement en amont de la semi-conductivité !
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