Tuisceán CVD do Mhatarail Graphene agus Carbon Nanotube / Tuisceán seimiconducting , China Tuisceán CVD do Mhatarail Graphene agus Carbon Nanotube / Tuisceán seimiconducting Manufacturers, Suppliers, Factory

Cur síos ar an gcrann

Tuisceán CVD do bhunád graphene agus míreanna nanotúibe

Usaítear an tuisceán go príomha don chlocháil phróiseas ar bunán graphene agus míreanna nano; Difúis, oksaideach agus toitín polycrystalline siocáin agus carbaid síne.

CVD Equipment for Graphene and Carbon Nanotube Materials / Semiconductor equipment details

CVD Equipment for Graphene and Carbon Nanotube Materials / Semiconductor equipment factory

Speisifeicáid

Stíl struchtúrtha	Gachnua nó scagán chóras i gcónaí rith chruthaithe
Comhlámh le méid pléadáin	2-8″
Modh bailiú agus díriú pléadáin	Bád caibidil chóir fhoirmiúil, ina cheangal le hógacht árdaíochta agus scaoileadh na máinli
Teorantacht is mó	1050℃
Teocht oibre	400 ℃~850 ℃ a shuíomh go leanúnach
Staidéar téamhrach aon-phointe	400℃~850℃≤±0.5℃/24h
Fuaime vácuim scagtha	Níos fearr ná 1Pa
luas páipéadóireachta	Am páipéadóireachta go dtí an fuaime vácuim chunscríofa ＜ 15Min
Rang sprioc oibre	5Pa go 1 × 105Pa a bhfuil tábhacht le fios
Soláthar Cumhachta	3 chéim 5-fheabhs 380V±10%, 50Hz
Uisce Friochartha	2~4Kgf/cm², 8L/min;

Pacáiste & Socruithe

Próifíl an Chompaid

Tá 16 bliain míochaine againn i dtríomh sócmhainní. Is féidir linn comhairle a thabhairt duit faoin mbeartas seo ó thaobh linse árda agus cúrsaí pacála i gcás an chéad agus an deireadh, ón phríomhphobal Roinn Saimbínice sa Phoblacht.