Apa gunanya dari furnace rapid annealing dalam proses pembuatan wafer?

Furnace annealing cepat menggunakan lampu inframerah halogen sebagai sumber panas untuk memanaskan bahan ke suhu yang diperlukan melalui pemanasan cepat, sehingga memperbaiki struktur kristal dan sifat optoelektronik bahan.

Fitur-fiturnya mencakup efisiensi tinggi, hemat energi, derajat otomatisasi tinggi, dan pemanasan yang merata.

Selain itu, furnace pengannealan cepat juga memiliki ketelitian kontrol suhu tinggi dan keseragaman suhu, yang dapat memenuhi kebutuhan berbagai proses kompleks.

Furnace pengannealan cepat menggunakan sistem kontrol mikrokomputer canggih, dikombinasikan dengan teknologi kontrol suhu tertutup PID, untuk memastikan ketelitian kontrol suhu tinggi dan keseragaman suhu.

Laju pemanasan yang sangat cepat dicapai melalui sumber panas efisien seperti lampu halogen inframerah, dan wafer dipanaskan dengan cepat hingga suhu yang ditentukan, sehingga menghilangkan beberapa cacat pada wafer dan meningkatkan struktur kristalnya serta sifat optoelektroniknya.

Kontrol suhu presisi tinggi ini sangat penting bagi kualitas wafer dan dapat secara efektif meningkatkan kinerja dan keandalan wafer.

Dalam proses pembuatan wafer, aplikasi furnace pengannealan cepat mencakup tetapi tidak terbatas pada aspek-aspek berikut:

1. Optimasi struktur kristal: suhu tinggi berkontribusi pada pengaturan ulang struktur kristal, menghilangkan defek kisi dan meningkatkan susunan kristal, sehingga meningkatkan konduktivitas elektronik material semikonduktor.

2. Penghilangan kekotoran: annealing cepat RTP pada suhu tinggi dapat mempromosikan difusi kekotoran dari kristal semikonduktor dan mengurangi konsentrasi kekotoran.

Ini membantu meningkatkan sifat elektronik perangkat semikonduktor dan mengurangi tingkat energi atau penyimpangan elektron yang disebabkan oleh kekotoran.

3. Penghilangan substrat: dalam proses CMOS, dapur annealing cepat dapat digunakan untuk menghilangkan material substrat, seperti oksida silikon atau nitrida silikon, untuk membentuk perangkat SOI (insulator pada silikon) ultra-tipis.