Hálfleiðaraiðnaður RIE PLASMA PR flutningsvél Photoresist Residual Removal , Kína Hálfleiðaraiðnaður RIE PLASMA PR flutningsvél Photoresist Residual Removal Framleiðendur, birgjar, verksmiðja

Vörulýsing

RIE PLASMA Photoresist Remover

Kísilkarbíð æting
Yfirborðshreinsun eftir ætingu
DESCUM
Harð grímulag, þurr fjarlæging
Kísiloxíð eða sílikonnítríð ets
Fjarlæging á sjónviðnámi milli miðla
Fjarlæging yfirborðsleifa

Hálfleiðaraiðnaður RIE PLASMA PR flutningsvél Photoresist Residual Removal upplýsingar

aðferð

Hálfleiðaraiðnaður RIE PLASMA PR flutningsvél Photoresist Residual Removal verksmiðja

Hálfleiðaraiðnaður RIE PLASMA PR flutningsvél Photoresist Residual Removal framleiðsla

Advantage:

Core Advantage

Hár suðuhraði: Háþéttni plasma, hraður suðuhraði
Stöðugleiki: Eftir plasmameðferð, hár endurgerðanleiki
Fjarlægt plasma: Fjarlægt plasma, lítið jónaskemmdir á oblátu
Valinn hugbúnaður: sjálfstæðar rannsóknir og þróun hugbúnaðar, leiðandi ferli hreyfimyndir, ítarleg gögn og skrár
Samræmi: Plasma getur stjórnað þrýstingi og hitastigi í gegnum fiðrildaventil
Öryggisþáttur: Lágt plasma dregur úr skemmdum á losun vöru.
Þjónusta eftir sölu: Hröð viðbrögð og nægar birgðir
Rykvörn: Uppfylltu kröfur viðskiptavina.
Kjarnatækni: Með næstum 40% af R&D liðsmönnum

Kassettupallur (MD-ST 6100/620)

1. 4 Wafer Carriers
2. Hár eindrægni: sveigjanleiki í vali á diskastærð veldur miklum kostnaði og skilvirkni lausna
3. Tómarúmflutningshólf með mikilli stöðugleika:
Þroskuð og stöðug lofttæmishönnun hefur verið beitt á markaðnum í mörg ár og er vel viðurkennd af viðskiptavinum.
Hönnun plötuspilara, fyrirferðarlítið rými, dregur verulega úr hættu á PARTICAL
4. Manngert hugbúnaðarviðmót:
Innsæi mannlegt hugbúnaðarviðmót, rauntíma eftirlit með vél sem keyrir Staða;
Alhliða viðvörun og heimsendar aðgerðir til að forðast misnotkun.
Öflug gagnaútflutningsaðgerð, skrár yfir ýmsar ferlibreytur og útflutningur á framleiðsluskrám vöru.

Vélmenni

1. Einu sinni tvöfaldur oblátur velja og setja hönnun færir mikla framleiðni
2. Bæta pláss skilvirkni.

Upphitunarplata

1. Hitastýringarplata með mikilli nákvæmni
Ofnhitunarplata frá stofuhita til 250°C, nákvæmni hitastýringar ±1°C
Wafer hitunarplata hefur verið kvarðað með faglegum tækjum og einsleitni. Innan ± 3°C, tryggðu einsleitni við að fjarlægja lím
2. Eins hólfa tvískiptur vinnsla
Eins hólfa tvískipt hönnun;
Óháð rafhleðsluhönnun fyrir hverja oblátu, sem tryggir að hver obláta. Round PR flutningur áhrif;
Undir þeirri forsendu að tryggja UPH skilvirkni, draga úr vörukostnaði. Sterkt eindrægni
3. Framleiðslugeta: tvöfalt stykki hönnun viðbragðshólf, mikil framleiðslu skilvirkni.

Specification

PLASMA uppspretta			RF
Power	ICP	_
Power		Hlutdrægni	1000W (valkostur)
Gildissvið			4 ~ 8 tommur
Fjöldi stakra vinnslu sneiða			1
Útlit mál			850mmx900mmx1850mm
Kerfisstjórnun			PLC
Sjálfvirknistig			Manual

Vélbúnaðargeta
Spenntur / Laus tími	≧ 95%
Meðaltími til að þrífa （MTTC）	≦6 klst
Meðaltími til viðgerðar（MTTR）	≦4 klst
Meðaltími milli bilana（MTBF）	≧ 350 klst
Meðaltími milli aðstoðarmanns（MTBA）	≧ 24 klst
Meðal obláta á milli brotinna (MWBB)	≦1 af hverjum 10,000 oblátum
Hitaplötustýring	50-250 °