מערכת עיבוד תרמי מהיר שולחנית RTP עבור חומרים חשמליים סיליקון כריסטלי LED ו-MEMS , China מערכת עיבוד תרמי מהיר שולחנית RTP עבור חומרים חשמליים סיליקון כריסטלי LED ו-MEMS Manufacturers, Suppliers, Factory

תיאור המוצר

עיבוד תרמי מהיר

מספק מתקנים אמינים ומאובטחים עבור חומרים חשמלים מורכבים, SlC, LED ו- MEMS

יישומים בתעשייה

* צמיחה של אוקסידים וניטרידים
* התמזגות מהירה של קשר אוהמי
* שיקום של ליגת סיליציד
* חזרה באוקסידציה
* תהליך גליום ארסניד
* תהליכי חום מהיר נוספים

Rapid Thermal Processing Desktop RTP System for compound semiconductors SlC LED and MEMS details

יתרונות המוצר

1. טווח התהליך מכסה 200-1250 ℃
2. מערכת ניהול שדה טמפרטורה חזקה
3. אלגוריתם RTP מותאם
4. כלי קליברציה מקצועי ל-TC Wafer

תכונה

* חימום באמצעות צינור לאמפת הליוגן אינפרה אדום, תקריב באמצעות קירור אוויר;
* שליטה בטמפרטורה לפי PlD עבור כוח הלamppa, שיכולה להשליט באופן מדויק על עליית הטמפרטורה, ומבטיחה את החזרה הטובה והייחוסיות של הטמפרטורה;
* פתח הכניסה של החומר מותקן על פני השטח של WAFER כדי למנוע ייצור נקודות קרות במהלך תהליך האנאלינג, ובצורה זו לבטיח אחידות טמפרטורתית טובה של המוצר;
* ניתן לבחור בין טיפולים באטמוספירה או בטיפולvakuum, עם טיפולי הכנה וטהרה של הגוף;
* שתי קבוצות גזי תהליך הן סטנדרטיות וניתן להרחיב עד 6 קבוצות של גזי תהליך;
* הגודל המרבי של דגימת סיליקון חד-סיגרי שאפשר למדוד הוא 12 אינץ' (300x300MM);
* שלושת אמצעי הבטיחות של הגנה על פתיחת טמפרטורת הבטיחות, הגנה על אישור פתיחת שליטת הטמפרטורה, והגנה על עצירת חירום של המכשיר מופעלים לחלוטין כדי לבטיח את הבטיחות של הכלים;

התאמהשיות התאמה של עקומים ב-20 מעלות

Rapid Thermal Processing Desktop RTP System for compound semiconductors SlC LED and MEMS manufacture

20 עקומים של שליטה בטמפרטורה ב-850 ℃

Rapid Thermal Processing Desktop RTP System for compound semiconductors SlC LED and MEMS factory

היא התאמה של 20 עקומי טמפרטורה ממוצעת

שליטה בטמפרטורה של 1250 ℃

Rapid Thermal Processing Desktop RTP System for compound semiconductors SlC LED and MEMS supplier

שליטה בטמפרטורה של RTP בתהליך של 1000 ℃

תהליך של 960 ℃, מוסדר על ידי פירומטר אינפרא אדום

נתוני תהליך LED

RTD Wafer הוא חיישן טמפרטורה שמשתמש בטכניקות עיבוד מיוחדות כדי להכניס חיישני טמפרטורה (RTDs) במקומות מסוימים על פני הwafer, מה שמאפשר מדידת טמפרטורה בזמן אמת על פני הwafer.
מדידת הטמפרטורה האמיתית במקומות מסוימים על הwafer וההתפלגות הטמפרטורה הכוללת של הwafer יכולה להתקבל באמצעות RTD Wafer; ניתן גם להשתמש בה למעקב רציף של שינויים זמניים בטמפרטורה על wafers במהלך תהליך הטיפול חום.