Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

მთავარი გვერდი
ჩვენ შესახებ
MH Equipment
გადაწყვეტილება
საგარეო მომხმარებლები
ვიდეო
დაგვიკავშირეთ
მთავარი> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი

ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი

პროდუქტის აღწერა
ინდუქციურად კაპაციტეტურად შეკრულებული პლაზმის გაჭრვის (icp) სისტემა
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
პროცესის შედეგი

ქვარცი / სილიციუმი / გრატინგის გაჭრვა

BR მასკის გამოყენებით ქვარცის ან სილიციუმის მასალების გაჭრვასას, გრატინგის მასივის მონახაზი მინიმალური ხაზი არის მაქსიმუმ 300 ნამეტრი და მონახაზის მხრის მარცხენა კუთხე ახლოს არის > 89°, რაც შეიძლება გამოიყენოს 3D დისპლეის, მიკრო ოპტიკურ მოწყობილობებში, ოპტოელექტრონული კომუნიკაციები და ა.შ.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

კომპონენტების / სემიკონდუქტორის გაჭრვა

სანიმუს ზღვის ტემპერატურის ზუსტი კონტროლი განსაზღვრავს GaN-ბაზირებული, GaAs, InP და მეტალურგიული მასალების ეტქინგის მორფოლოგიას. ის შესაბამისია ლურჯი LED მოწყობილობებისთვის, ლაზერებისთვის, ოპტიკური კომუნიკაციებისთვის და სხვა აპლიკაციებისთვის.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

სილიკონ-ბაზირი მასალის ჩაჭრვა

ის შესაბამისია სილიკონ-ბაზირებული მასალების ეტქინგისთვის, როგორიცაა Si, SiO2 და SiNx. ის შეძლებს სილიკონის ხაზის ეტქინგს 50nm-ზე მეტად და სილიკონის ღრმი ხვრელის ეტქინგს 100μm-ზე ნაკლებად.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
სპეციფიკაცია
პროექტის კონფიგურაცია და მაशინის სტრუქტურული დიაგრამა
ნივთი
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
პროდუქტის ზომა
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
საკუთარი≥12ინჩი
SRF ძალის წყარო
0~1000W/2000W/3000W/5000W გამოსახელებელი, ავტომატური დახმარება\,13.56MHz/27MHz
BRF ძალის წყარო
0~300W/0~500W/0~1000W გამოსახელებელი, ავტომატური დახმარება,2MHz/13.56MHz
მოლეკულარული განსაზღვრებელი
უარყოფილი: 600/1300 (L/s)/საკუთარი
ანტი-კოროზიული: 600/1300 (L/s)/საკუთარი
600/1300(L/s) /საკუთარი
წინადადებითი განსაზღვრებელი
მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
ანტიკოროზიული გამხვილი ქურა
მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
პრე-ქურა ქურა
მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
პროცესის წნევა
უკонтროლირებელი წნევა/0-0.1/1/10Torr კონტროლირებული წნევა
აირის ტიპი
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/საკუთარი
(მაღლად 12 კანალი, გარეშე კოროზიული და ტოქსინური აირი)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Custom(Up to 12 channels)
გაზის დიაპაზონი
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
ჩატვირთვაLock
დიახ/არა
დიახ
სანიმუშო ტემპერატურის კონტროლი
10°C~ოთხობის ტემპერატურა/-30°C~150°C/Custom
-30°C~200°C/Custom
უკან ჰელიუმის გამყიდვა
დიახ/არა
დიახ
პროცესური გამოყენების ჩაღერილობა
დიახ/არა
დიახ
გამოყენების სახელმძღვანელოს ტემპერატურის კონტროლი
არა/ოთხობის ტემპერატურა-60/120°C
საცხოვრებელი ტემპერატურა ~60\/120°C
კონტროლის სისტემა
ავტო/მიზნების მითითებით
გამოჭრილი მასალა
სილიკონ-ბაზი: Si\/SiO2\/
SiNx\/ SiC.....
ორგანიკური მასალები: PR\/ორგანიკური
ფილმი......
სილიკონ-ბაზი: Si\/SiO2\/SiNx\/SiC
III-V: InP\/GaAs\/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
მაგნიტული მასალა / ალოის მასალა
მეტალურგიული მასალები: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
ორგანიული მასალები: PR/ორგანიული ფილმი......
სილიკონის ღრების გამჭვირვალება
შეფუთვა და მიწოდება
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
კომპანიის პროფილი
ჩვენ გვაქვს 16 წლის გამოცდილება აპარატების გაყიდვაში. შეგვიძლია გეცადოთ ერთღელად სემიკონდუქტორული წინა და შემდეგი პაკეტის ხაზის აპარატების პროფესიონალური ამოხსნა ჩინეთიდან.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

ინკვირი

ინკვირი Email whatsapp Top
×

დაკავშირდით