Guangzhou Minder-Hightech Co., Ltd.

მთავარი
ჩვენს შესახებ
MH აღჭურვილობა
Solution
უცხოელი მომხმარებლები
ვიდეო
კონტაქტები
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-42
მთავარი> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა
  • ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა

ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობა საქართველო

პროდუქტის აღწერა
ინდუქციური დაწყვილების პლაზმური ჭურვის (icp) სისტემა
ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ოქროვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობის დეტალები
ინდუქციური დაწყვილების პლაზმური ოქროვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული აღჭურვილობის მომწოდებელი
ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემის (ICP) ნახევარგამტარული აღჭურვილობის ქარხანა
პროცესის შედეგი

კვარცის / სილიკონის / ჭურჭლის გრაფირება

BR ნიღბის გამოყენებით კვარცის ან სილიკონის მასალების ამოსაჭრელად, საცურაო მასივის შაბლონს აქვს ყველაზე წვრილი ხაზი 300 ნმ-მდე და ნიმუშის გვერდითი კედელი ახლოს არის > 89°-მდე, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას 3D ეკრანზე, მიკრო ოპტიკურ მოწყობილობებზე, ოპტოელექტრონულ კომუნიკაციებზე. და ა.შ
ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემის (ICP) ნახევარგამტარული აღჭურვილობის ქარხანა

რთული/ნახევარგამტარული ოხრახუში

ნიმუშის ზედაპირის ტემპერატურის ზუსტ კონტროლს შეუძლია კარგად გააკონტროლოს GaN-ზე დაფუძნებული, GaAs, InP და ლითონის მასალების გრავირების მორფოლოგია. იგი განკუთვნილია ლურჯი lED მოწყობილობებისთვის, ლაზერებისთვის, ოპტიკური კომუნიკაციისთვის და სხვა აპლიკაციებისთვის.
ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოება

სილიკონზე დაფუძნებული მასალის გრავირება

ის შესაფერისია სილიკონზე დაფუძნებული მასალების ამოსაღებად, როგორიცაა Si, SiO2 და SiNx. მას შეუძლია გააცნობიეროს სილიკონის ხაზის გრავირირება 50 ნმ-ზე ზემოთ და სილიკონის ღრმა ხვრელის ამოჭრა 100 მმ-ზე ქვემოთ
ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ჭურვის სისტემის (ICP) ნახევარგამტარული აღჭურვილობის ქარხანა
სპეციფიკაცია
პროექტის კონფიგურაცია და მანქანის სტრუქტურის დიაგრამა
Item
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
პროდუქტის ზომა
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
მორგებული≥12 ინჩი
SRF დენის წყარო
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
BRF დენის წყარო
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
მოლეკულური ტუმბო
არაკოროზიული: 600/1300 (ლ/წმ)/მორგებული
ანტიკოროზიული:600 /1300 (L./s)/Custom
600/1300(ლ/წმ) /მორგ
წინა ხაზის ტუმბო
მექანიკური ტუმბო / მშრალი ტუმბო
ანტიკოროზიული მშრალი ტუმბო
მექანიკური ტუმბო / მშრალი ტუმბო
წინასწარი სატუმბი ტუმბო
მექანიკური ტუმბო / მშრალი ტუმბო
მექანიკური ტუმბო / მშრალი ტუმბო
პროცესის წნევა
უკონტროლო წნევა/0-0.1/1/10 Torr კონტროლირებადი წნევა
გაზის ტიპი
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom
(12-მდე არხი, კოროზიული და ტოქსიკური აირის გარეშე)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
მორგებული (12-მდე არხი)
გაზის დიაპაზონი
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
LoadLock
კი არა
დიახ
ნიმუში tem კონტროლი
10°C~ოთახიანი/ -30°C~150°C /მორგებული
-30°C~200°C/მორგებული
უკანა ჰელიუმის გაგრილება
კი არა
დიახ
პროცესი ღრუს უგულებელყოფა
კი არა
დიახ
ღრუს კედლის ტემპერატურის კონტროლი
ნომერი/ოთახის ტემპერატურა-60/120°C
ოთახის ტემპერატურა~60/120°C
საკონტროლო სისტემა
ავტომატური/მორგებული
ჭურვის მასალა
სილიკონის ბაზა: Si/SiO2/
SiNx/SiC.....
ორგანული მასალები: PR/ორგანული
ფილმი......
სილიკონის ბაზა: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
მაგნიტური მასალა / შენადნობის მასალა
მეტალის მასალები: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
ორგანული მასალები: PR/ორგანული ფილმი......
სილიკონის ღრმა გრავირება
შეფუთვა და მიწოდება
ინდუქციური დაწყვილების პლაზმური ოქროვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული აღჭურვილობის მომწოდებელი
ინდუქციური დაწყვილება პლაზმური ოქროვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული მოწყობილობის დეტალები
კომპანიის პროფილი
ჩვენ გვაქვს 16 წლიანი გამოცდილება აღჭურვილობის გაყიდვაში. ჩვენ შეგვიძლია მოგაწოდოთ ერთი გაჩერების ნახევარგამტარული წინა და უკანა ხაზის პაკეტის მოწყობილობების პროფესიონალური გადაწყვეტა ჩინეთიდან.
ინდუქციური დაწყვილების პლაზმური ოქროვის სისტემა (ICP) ნახევარგამტარული აღჭურვილობის მომწოდებელი

ინტერაქტივი

product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-69ინტერაქტივი product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-70Email product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-71WhatsApp product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-72 WeChat
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-73
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-74ყველაზე
×

დაუკავშირდა