ეს მოწყობილობა ძირითადად გამოიყენება მცირე და საშუალო ზომის ინტეგრირებული სქემების, ნახევარგამტარული კომპონენტების და ზედაპირული აკუსტიკური ტალღების მოწყობილობების შემუშავებისა და წარმოებისთვის. მოწინავე გამათანაბრებელი მექანიზმისა და დაბალი ნიველირების ძალის გამო, ეს მანქანა შესაფერისია არა მხოლოდ სხვადასხვა ტიპის სუბსტრატების ზემოქმედებისთვის, არამედ ადვილად ფრაგმენტული სუბსტრატების ზემოქმედებისთვის, როგორიცაა კალიუმის არსენიდი და ფოსფატი ფოლადი. წრიული და პატარა სუბსტრატები.
სპეციფიკაცია
მთავარი ტექნიკური პარამეტრები
1. ექსპოზიციის ტიპი: ცალმხრივი ექსპოზიცია 2. ექსპოზიციის ზონა: 110X110მმ; 3. ექსპოზიციის ერთგვაროვნება: ≥ 97%; 4. ექსპოზიციის ინტენსივობა: 0-30მვ/სმ2 რეგულირებადი; 5. UV სხივის კუთხე: ≤ 3 ° 6. ულტრაიისფერი სინათლის ცენტრალური ტალღის სიგრძე: 365 ნმ; 7. UV სინათლის წყაროს სიცოცხლის ხანგრძლივობა: ≥ 20000 საათი; (2 წლიანი გარანტია) 8. ელექტრონული ჩამკეტის მიღება; 9. ექსპოზიციის გარჩევადობა: 1 μ M 10.კამარას ხედვის დიაპაზონი: ± 15მმ Y: ± 15მმ 11. გასწორების დიაპაზონი: x: ± 4 მმ Y: ± 4 მმ Q: ± 3°. 12. გასწორების სიზუსტე: 1um (კარგ გარემოში) 13.გამოყოფის მანძილის დიაპაზონი:0-50მმ რეგულირებადი. 14. ექსპოზიციის მეთოდი: კონტაქტური ექსპოზიცია (მყარი/რბილი/მიკრო შეხება) 15.ბალანსის მეთოდი: ჰაერის ფლოტაცია. 16. მიკროსკოპული სისტემა: ორმაგი ხედვის ველი CCD სისტემა, ობიექტური ლინზა 1.6X~10X, კომპიუტერული გამოსახულების დამუშავების სისტემა, 19 "LCD მონიტორი; მთლიანი გადიდება 91-570x. ობიექტივის მანძილი: 50-120 მმ. 17. ნიღბის ზომა: 127*127მმ;102*102მმ 18. სუბსტრატის ზომა: Φ102მმ；Φ76მმ 19. სუბსტრატის სისქე: ≤1მმ 20. ექსპოზიციის დრო: 0-999.9 წამი რეგულირებადი. 21. სიმძლავრე: 220V 50Hz 1.5kw. 22.ჰაერის წყარო?0.4Mpa 23.ვაკუუმის ხარისხი: -0.07MPa~-0.09Mpa
შეფუთვა და მიწოდება
კომპანიის პროფილი
ჩვენ გვაქვს 16 წლიანი გამოცდილება აღჭურვილობის გაყიდვაში. ჩვენ შეგვიძლია მოგაწოდოთ ერთი გაჩერების ნახევარგამტარული წინა და უკანა ხაზის პაკეტის მოწყობილობების პროფესიონალური გადაწყვეტა ჩინეთიდან.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
არა
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
