Ეს აპარატურა ძირითადად გამოიყენება მცირე და შუა ზომის ინტეგრირებული წირების, სემიკონდუქტორული ელემენტების და ზედაპირული აკუსტიკური ვავების მოწყობილობების განვითარებისა და წარმოებისთვის. მიღებული დონის მექანიზმისა და დაბალი დონის ძალის გამო, ეს მანქანა არ მხოლოდ შესაბამისია განსხვავებული ტიპის სუბსტრატების გამოსახატვისთვის, არამედ ასევე ფართოდ გამოიყენება მარტივად გადაჭრებადი სუბსტრატების, როგორიცაა პოტასიუმის არსენიდი და ფოსფატის მასალების, ასევე არა წრიული და მცირე ზომის სუბსტრატების გამოსახატვისთვის.
Სპეციფიკაცია
Ძირითადი Техნიკური პარამეტრები
1. გამოსვლის ტიპი: ერთგვარდობიანი გამოსვლა 2. გამოსახატვის ფართობი: 110X110mm; 3. გამოსახატვის ერთობი: ≥ 97%; 4. გამოსახატვის ინტენსივობა: 0-30mw/сm2 რეგულირებადი; 5. UV საშუალო კუთხე: ≤ 3 ° 6. ულტრავიოლეტის ცენტრალური ტალღის სიგრძე: 365nm; 7. UV სიმღერის წყაროს გამოყენების ვადა: ≥ 20000 საათი;(2 წლიანი გარანტია) 8. ელექტრონული შუტერის გამოყენება; 9. გამოსვლის გარჩევა: 1 μ M 10. კამერის შემოწმების დიაპაზონი: ± 15mm Y: ± 15mm 11. გადასაწყვეტი დიაპაზონი: x: ± 4mm Y: ± 4mm Q: ±3°. 12. გადასაწყვეტი მწარმობა: 1μm (კარგი გარემოში). 13. განსხვავების მანძილი: 0-50μm რეგულირებადი. 14. გამოსახურების მეთოდი: კონტაქტული გამოსახურება (მაღალი/მỀრი/მიკრო შეხება). 15. ბალანსის მეთოდი: ჰაერის ჩანცხენი. 16. მიკროსკოპული სისტემა: ერთი ვიზუალური ვიუ მართვის CCD სისტემა, მაგნიფიკაციის ლენზი 1.6X~10X, კომპიუტერული სურათის მუშაობის სისტემა, 19" LCD მონიტორი; საერთო მაგნიფიკაცია 91-570x. ლენზის მანძილი: 50-120mm. 17. მასკის ზომა: 127*127mm; 102*102mm 18. სუბსტრატის ზომა: Φ102mm; Φ76mm 19. სუბსტრატის thicness: ≤1mm 20. გამოსახურების დრო: 0-999.9 წამი რეგულირებადი. 21. ძალა: 220V 50Hz 1.5kw. 22. ჰაერის წყარო? 0.4Mpa 23.Vacuum degree: -0.07MPa~-0.09Mpa
Შეფუთვა და მიწოდება
Კომპანიის პროფილი
Ჩვენ გვაქვს 16 წლის გამოცდილება აპარატების გაყიდვაში. შეგვიძლია გეცადოთ ერთღელად სემიკონდუქტორული წინა და შემდეგი პაკეტის ხაზის აპარატების პროფესიონალური ამოხსნა ჩინეთიდან.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
