Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

მთავარი გვერდი
ჩვენ შესახებ
MH Equipment
გადაწყვეტილება
საგარეო მომხმარებლები
ვიდეო
დაგვიკავშირეთ
მთავარი> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი
  • რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი

რეაქტიული იონური ეტჩინგის სისტემა RIE მაशინა RIE ვერაფასების ანალიზი

პროდუქტის აღწერა
რეაქტიული იონური გამჭრივების სისტემა
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis supplier
აპლიკაცია
პასივაციის ფეხი: SiO2, SiNx
შემოქმედების ფეხი
შემოქმედების ფეხი: TaN
გამავალი ხვრელი: W
თვისება
1. პასივაციის ფეხის გამჭრივება ხვრელის არ არსებობით ან არსებობით;
2. ლასტიკის ფერმენტირება;
3. უკანასკნელი სილიციური ფერმენტირება
სპეციფიკაცია
პროექტის კონფიგურაცია და მაशინის სტრუქტურული დიაგრამა
ნივთი
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE


პროდუქტის ზომა
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
≤8 ინჩი


RF ძალის წყარო
0-300W/500W/1000W რეგულირება, ავტომატური მისამართები


მოლეკულარული განსაზღვრებელი
-/620(L/s)/1300(L/s)/Custom

ანტისეპტიკური 620(L/s)/1300(L/s)/Custom

წინადადებითი განსაზღვრებელი
მექანიკური განსაზღვრებელი/სი≧ედი განსაზღვრებელი

მშრალი ტუმბო

პროცესის წნევა
უკонтროლებელი წნევა/0-1Torr კონტროლირებული წნევა


აირის ტიპი
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/Custom
(მაქსიმუმ 9 კანალი, გარეშე კოროდირებული და ციხედი გასი)

H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(მაქსიმუმ 9 კანალი)

გაზის დიაპაზონი
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/დამავალი


ჩატვირთვაLock
დიახ/არა

დიახ

სანიმუშო ტემპერატურის კონტროლი
10°C~საგანთო ტემპერატურა/-30°C~100°C/დამავალი

-30°C~100°C/დამავალი

უკან ჰელიუმის გამყიდვა
დიახ/არა

დიახ

პროცესური გამოყენების ჩაღერილობა
დიახ/არა

დიახ

გამოყენების სახელმძღვანელოს ტემპერატურის კონტროლი
არა/საგანთო ტემპერატურა~60/120°C

საცხოვრებელი ტემპერატურა -60/120°C

კონტროლის სისტემა
ავტო/მიზნების მითითებით


გამოჭრილი მასალა
სილიკონ-ბაზირი: Si/SiO2/SiNx.
IV-IV: SiC
მაგნიტური მასალები/ლიგატურის მასალები
მეტალურგიული მასალა: Ni/Cr/Al/Au.
ორგანური მასალა: PR/PMMA/HDMS/ორგანური ფილმი.

სილიკონ-ბაზირი: Si/SiO2/SiNx.
III-V(ჩან. 3): InP/GaAs/GaN.
IV-IV: SiC
II-VI (შენიშვნა 3): CdTe.
მაგნიტური მასალები/ლიგატურის მასალები
მეტალურგიული მასალა: Ni/Cr/A1/Au.
ორგანიული მასალა: PR/PMMA/HDMS /ორგანიული ფილმი.

1. ჩიპების გადახრის პრევენცია
2. მინიმალური კვანძი, რომელიც შეიძლება გაიქცეთ: 14nm:
3. SiO2/SiNx გაჭრივის სიჩქარე: 50~150 ნმ/წუთი;
4. გაჭრილი ზედაპირის ამბობილობა: 5. მხარდაჭერს პასივაციის სარეზერვო საფუძველს, ადჰეზიულ საფუძველს და უკანას სილიკონის გაჭრივს;
6. Cu/Al-ის არჩევის კოეფიციენტი:>50
7. ყველაფერი ერთ-მაशინა LxWxH: 1300mmX750mmX950mm
8. მხარდაჭერს ერთი-კლიკის განხორციელებას
პროცესის შედეგი

სილიკონ-ბაზირი მასალის ჩაჭრვა

სილიკონ-ბაზირი მასალები, ნანო-იმპრინტის მოთხოვნები, მასივი
მოთხოვნები და ლენზის მოთხოვნის ჩაჭრვა
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis factory

InP ჩვეულებრივი ტემპერატურის ჩაჭრვა

InP-ბაზირ მოწყობილობების მოთხოვნების ჩაჭრვა, რომლებიც გამოიყენება ოპტოელექტრონულ კომუნიკაციაში, 娷ონდა გამართვის სტრუქტურა, რეზონანსული გამოქვეყნების სტრუქტურა.
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis supplier

SiC მასალის ჩაჭრვა

შესაბამისია მიკროვეფილის მოწყობილობებისთვის, ძალის მოწყობილობებისთვის და ა.შ.


Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis details

ფიზიკური სპუტერინგი, ჩაჭრვა ორგანული მასალის ჩაჭრვა

ის გამოიყენება რთულად ჩაჭრებადი მასალების ჩაჭრვაში, როგორიცაა ზოგიერთი მეტალი (როგორიცაა Ni/Cr) და კერამიკა, და
შენიშვნით გამორთვა.
იყენება ფოტორეზისტის (PR) / PMMA / HDMS / პოლიმერის მსგავსი ორგანიური საკომპონენტოების გამორთვისა და წაშლისთვის
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis factory
ვადაცხადების ანალიზის შედეგების ჩვენება
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis manufacture
პროდუქტის დეტალები
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis details
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis manufacture
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis supplier
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis factory
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis manufacture
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis factory
შეფუთვა და მიწოდება
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis factory
Reactive ion etching system RIE machine RIE Failure analysis details
საჭრელი მაშინა
კომპანიის პროფილი

Minder-High-tech Reactive Ion Etching (RIE) მაशინა არის მოდერნული ტექნოლოგია, რომელიც შეიძლება გამორთოს და ანალიზოს განსხვავებული ტიპის მასალები საკმარისი ზუსტებით. ეს მაशინა შექმნილია გამოყენებისთვის იმ ინდუსტრიებში, სადაც წამომწერილობა ან გამორთვა საჭიროა ხშირად. იგი შემოღებულია მაღალ ხარისხის მასალებით, რაც გამოიწვევს მის გამარტივებულობას, მั่ნამდებობას და შესაძლოა წარმოადგენს მაღალ ხარისხის შედეგებს.

 

RF პლაზმის გენერატორით აღჭურვილია, რაც ეფექტურია. RIE სისტემა იყენებს ინდუქტიულ კავშირს პლაზმის წარმოშობისთვის მომწიდველი სამაგრიდან. ეს ტექნიკა წარმოადგენს მაღალ სიმკვრევის პლაზმას, რაც ამაღლებს პროდუქტის შემოწმების სიჩქარეს. RIE-მაशინის შემოწმების პროცესი ეფექტურია, ზუსტი და ძალიან კონტროლირებადია, რაც შესაძლებლობას ხარჯავს კონკრეტული სიღრმეის აღწერაზე. ეს მახასიათებელი ხდის მას გამოსახატული არჩევანი კვლევისთვის ან ინდუსტრიულ სამუშაოდ.

 

მანქანა იყენებს გავლენის ფართო დიაპაზონს, რომელიც შეიცავს მიკროელექტრონიკას, MEMS-ების წარმოებას და სემიკონდუქტორების წარმოებას. ეს მანქანა საგანმაცველო მასალების, როგორიცაა სილიცონი, გალიუმ არსენიდი და გერმანიუმი, ეტჩინგში და მიკრომაჩვენებლობაში საგანმაცველო ინდუსტრიაში მოთამაშებლობს მნიშვნელოვან როლს. Minder-High-tech RIE მოწყობილობა განახორციელა MEMS ინდუსტრიაში როგორც მỀრი მასალების, ასევე როგორც მỀრი მასალების წარმოებისთვის, როგორიცაა პოლიიმიდი, სილიცონის დიოქსიდი და სილიცონის ნიტრიდი. გარდა ამას, ის ხელმისაწვდომია ვადების ანალიზისთვის ინდუსტრიებში, რომლებიც დაკავშირებულია ელექტრონიკული პროდუქტებისა და სერვისების სარგებლობას.

 

შეიცავს მრავალფეროვან მახასიათებლებს, რომლებიც ხდის მის გამოყენებას მარტივად. ეს პროგრამული უზრუნველყოფა მომხმარებელთა მიერ მარტივად ჩამოთვლელია და წვდომა აძლევს მომხმარებელს სრულ კონტროლს ეტქვების პარამეტრებზე, რომლებიც გამოიყენება მანქანაში. მანქანის პარამეტრები შეინახება მის შიგა მეხსიერებაში, რომელიც შეიძლება განათავსო 100-ზე მეტი პარამეტრების სეტი. ასევე მას აქვს ტაქტი, რომელიც აძლევს მომხმარებელს შესაძლებლობას პარამეტრების განსაზღვრაზე, როგორიცაა აირის მოძრაობა, ძალის სიმჭიდრო და წნევა. Minder-High-tech RIE მანქანას ასევე აქვს ტემპერატურის კონტროლის მახასიათებელი, რომელიც უზრუნველყოფს მასალების ეტქვებას სწორ ტემპერატურაზე და გაუმჯობეს მათ დაზღვევას.

 

იდეალურია კომპანიებისთვის, რომლებსაც საჭიროა მั่นამდებიარი და ეფექტური მანქანა, რომელიც გაძლევს ზუსტ და ზუსტი შედეგები. ეს მოწყობილობა შექმნილია უმაღლესი ტექნოლოგიით და დონეზე. მისი ვერსატილობა და მომხმარებელთა მიერ მარტივად ჩამოთვლელი მახასიათებლები ხდის მას ძალიან კარგ არჩევანს კვლევისა და ინდუსტრიის გამოყენებისთვის განსხვავებულ სექტორებში.

 

ასევე მისამართლებული წარმოღების ანალიზის სისტემა გარკვეულია, რომელიც შესაძლებლობას გIVE-ს მანქანას განიხილოს და მართლოს ნებისმიერი მექანიკური პრობლემები რაც შესაძლებლობა არაფერი. ეს სისტემა უზრუნველყოფს, რომ RIE მანქანა მაღალი ხარისხისა და მოსავალის მაღალი დონეზე დარჩეს მის ციკლის განმავლობაში. ნებისმიერი ინდუსტრია, რომელიც ზუსტი და ეფექტური გაჭრივების ან მიკროფაბრიკაციის მოთხოვნას იქნება, Minder-High-tech RIE მანქანა ის იდეალური ამოხსნელია.


ინფორმაციის მოთხოვნა

ინფორმაციის მოთხოვნა Email whatsapp Top
×

დაკავშირდით