სტრუქტურის ზომები |
||
Ძირითადი ფრეიმი |
1260*1160*1200mm |
|
Ძირის მაქსიმალური სიმაღლე |
90მმ |
|
Მონაცემთა ფენტრი |
მოიცავს |
|
Წონა |
350 კგ |
|
Ვაკუუმის სისტემა |
||
Ვაკუუმური პუმპა |
Ვაკუუმის მომავალი მასალა ფილტრაციის საშუალებით არის არჩევანი გამოყენების გამოყენების შემთხვევაში |
|
Ვაკუუმის დონე |
Მაქსიმუმ 10Pa |
|
Ვაკუუმის კონფიგურაცია |
1. ვაკუუმის პუმპა 2. ელექტრო ვალვი |
|
Გადასაჭრის სიჩქარის მართვა |
Ვაკუუმის პუმპის გადასაჭრის სიჩქარე შეიძლება განსაზღვროს ჰოსტ-კომპიუტერის პროგრამული უზრუნველყოფით |
|
Პნევმატური სისტემა |
||
Პროცესური გაზი |
N2, N2/H2 (95%/5%), HCOOH |
|
Პირველი გაზის გზა |
Აზოტი/აზოტ-ჰიდროგენის მიშენება (95%/5%) |
|
Მეორე გაზის გზა |
HCOOH |
|
Გარმოსახალი და გამყარების სისტემა |
||
Გათბობის მეთოდი |
Რადიაციული გარმოსახალი, კონტაქტული კონდუქცია, გარმოსახალის სიჩქარე 150℃/min |
|
Გაგრილების მეთოდი |
Კონტაქტული გამყარება, მაქსიმალური გამყარების სიჩქარე 120℃/min |
|
Გარმოსახალის მასალა |
სპენძის ლiga, თერმოწინდივე: ≥200W/მ·℃ |
|
Გარმოსახალის ზომა |
420*320მმ |
|
Გარმოსახალის აპარატურა |
Გარმის მოწყობილობა: გამოიყენება ვაკუუმური გარმის ტუბი; ტემპერატურა შეიძენება Siemens-ის PLC მოდულის მიერ, და PID კონტროლი ჩამორთულია advantech-ის მთავარ კომპიუტერის მიერ კონტროლიруლია. |
|
Ტემპერატურის დიაპაზონი |
Მაქსიმუმ 450℃ |
|
Ძალის მოთხოვნები |
380V, 50/60HZ სამკონტაქტიანი, მაქსიმუმ 40A |
|
Კონტროლის სისტემა |
Siemens PLC + IPC |
|
Აპარატურის ძალა |
||
Გაგრილებელი სითხე |
Ანტიგელი ან დისტილირებული წყალი ≤20℃ |
|
Წნევა: |
0.2~0.4Mpa |
|
გამყის სიჩქარე |
>100L/мин |
|
Წყალის ტანკის მოცულობა |
≥60L |
|
Შესავალის წყალის ტემპერატურა |
≤20℃ |
|
Ჰავას წყარო |
0.4MPa≤ ჰაერის წნევა ≤0.7MPa |
|
Ელექტროენერგიის მიწოდება |
ერთფაზიანი სამხრის სისტემა 220V, 50Hz |
|
Ვოლტაჟის განსხვავების დიაპაზონი |
ერთფაზიანი 200~230V |
|
Სიხშირის განსხვავების დიაპაზონი |
50HZ±1HZ |
|
Მოწყობილობის ღერ Gaussian |
약 18KW; მიერთებელი რეზისტანცია ≤4Ω; |
Ძირითადი სისტემა |
შემოკლებული ვაკუუმური აუზით, ძირითადი ფრეიმი, კონტროლის ჰარდვერი და სოფტვერი |
Აზოტის მაგისტრალი |
Როგორც პროცესური gas-ისთვის შეიძლება იყენებოდეს აზოტი ან აზოტი/ჰიდროგენის მიღება |
Ფორმიკ მჟავი მაგისტრალი |
Formic acid-ის ჩატარება process chamber-ში აზოტის გამოყენებით |
Წყალის გამყარების მაგისტრალი |
верхнего чехла, нижней полости и нагревательной пластины გამყარება |
Წყლის გამაგრილებელი |
Გამოსახატი წყალის გამყარების წნევის მუშაობა აპარატში |
Ვაკუუმური პუმპა |
Ვაკუუმური გადაჭრივი სისტემა მასლის ფილტრაციით |
Температура |
10~35℃ |
|
Ურთიერთობრივი ტენიანობა |
≤75% |
|
Აპარატურის გარშემო განვითარებული გარემო წმინდა და მარტივია, ჰაერი წმინდაა, და არ უნდა იყოს ჩანაწერი ან გაზი, რომელიც შეიძლება გამოწვევას მიიღოს ელექტრო მოწყობილობების და სხვა მეტალურგიული ზედაპირების კოროზიაზე ან მეტალებს შორის კონდუქტირებაზე. |
Minder-Hightech Semiconductor-ის MDVES400 ერთგამოყოფილი ვაკუუმული რეფლუქსის საჩივრო იდეალური ნაწილია იმასთან, ვინც ძალიან სრულყოფილი შერწყმის შედეგების მოძებნას უნდა გაკეთოს. საჩივრო განვითარებულია IGBT და MEMS ვაკუუმული შერწყმის პროცედურების მოსახერხებლად, რათა დარწმუნდეს, რომ შედეგები აღემატებიან ბაზარის სტანდარტებს.
Აღჭურვილია მოდერნული ვაკუუმული ტექნოლოგიით, რაც ნიშნავს, რომ ყოველი შერწყმის პროცედურა წარმოადგენს შედეგს, რომელიც მთლიანად მუდმივია. ვაკუუმული ტექნოლოგია დახმარებს ჰაერის წაშლისას შერწყმის გარემოდან, რაც შედეგად დაცულია შერწყმის მასალებისა და სემიკონდუქტორული ელემენტების განათლებისგან და გარე გადაწყვეტილებისგან დაცულობის გარანტია.
Შეიცავს დიდი მოცულების გამოყოფას ერთი მდგომარე საშუალებით, რაც დარწმუნებულია, რომ სუსტი და ტემპერატურის პარამეტრები გაუმჯობესებენ ყოველი შერწყმის პროცესისთვის. საჩივრო განვითარებულია რეფლუქსის განსხვავებული ტიპებისა და სტილების მოსახერხებლად, მუდმივად მაღალი ხარისხის შედეგების მომსახურებით.
Განსაზღვრული პროცედურაში წვდომაა ხელმისაწვდომად, რათა ინდივიდები მართავდნენ ტემპერატურის დონის კონფიგურაციას მხოლოდ 300-500°C-ს ჩამოყალიბებში. ტემპერატურის დიაპაზონის კონფიგურაცია შეიძლება სწრაფად და მარტივად განახლდეს, რათა მოეგობარების მოთხოვნებს შეესაბამოს პროგრამირებადი მომართველის ტემპერატურის საშუალებით.
Მქონს კონტაქტულ უნიკალ საშუალებას, სადაც სველის მუშაობა ხდება ვაკუუმურ პარამეტრებში, რათა მიახლოებით გაუმარტივოს ნებისმიერი განსხვავება სველის შედეგებში, რომლებიც შეიძლება გამოწვეული იყოს სველის პროცესში წარმოშობილი გაზის ნაწილების გამო.
Მქონს ენერგიის შენახვის ტექნოლოგიას, რომელიც უზრუნველყოფს მინიმალურ ენერგიის გამოყენებას და მცირეს სველის ხარჯს, ხოლო განმარტება გაიზარდება. ეს განსაკუთრებით შექმნილია განმავლობის და მდებარეობის დაზრავებისთვის, რადგან ის შექმნილია საუკეთესო მასალების გამოყენებით, რომლებიც შესაბამისია განსაკუთრებით მრავალფეროვან წარმოების გარემოებში.
Ფუნქციები, რომლებიც მომხმარებლის ინტერფეისი ადვილად გამოიყენება, არ არის თულის რთული გაშვებისთვის. ჩათვლილია განვითარებული მიზნით მიმართული მიმართვების მიერ მიმართული მიმართვები, რომლებიც მოხდენილია მომხმარებლებისთვის მათ სწრაფი და მარტივი გამოყენებისთვის.
Თუ ძალიან ეძებთ ვაკუუმურ სოლდირების საჭარბელს, რომელიც ყოველთვის აღარ აძლევს მაღალ ხარისხის შედეგებს, Minder-High-tech Semiconductor MDVES400 Single Cavity Vacuum Reflow Oven არის უკანასკნელი არჩევანი. მას თავის მაღალ ხარისხის მშენებლობის, ენერგიის შენახვის ტექნოლოგიისა და რაოდენობის მორგებული ტემპერატურის დაყენებებით, ის ყოველთვის მუშაობს მუშაობით და საკმარისი შედეგებით.
Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. All Rights Reserved