Peralatan ini terutamanya digunakan untuk pembangunan dan pengeluaran litar bersepadu kecil dan sederhana, komponen semiconductor, dan peranti gelombang akustik permukaan. Disebabkan mekanisme penyetaraan moden dan daya penyetaraan rendah, mesin ini tidak sahaja sesuai untuk pendedahan pelbagai jenis substrat, tetapi juga untuk pendedahan substrat yang mudah pecah seperti arsenida potassium dan kelor besi, serta pendedahan substrat bukan bulat dan substrat kecil.
Spesifikasi
Parameter teknikal utama
1. Jenis pendedahan: pendedahan sisi tunggal 2. Kawasan pendedahan: 110X110mm; 3. Ketepatan pendedahan: ≥ 97%; 4. Kekuatan pendedahan: 0-30mw/cm2 boleh disesuaikan; 5. Sudut sinaran UV: ≤ 3 ° 6. Panjang gelombang pusat cahaya ultraviolet: 365nm; 7. Jangka hayat sumber cahaya UV: ≥ 20000 jam;(jaminan 2 tahun) 8. Menggunakan ketera elektronik; 9. Resolusi pendedahan: 1 μ M 10. Julat pandangan kamera: ± 15mm Y: ± 15mm 11. Julat penjajaran: x: ± 4mm Y: ± 4mm Q: ±3°. 12. Ketepatan penjajaran: 1um (di bawah keadaan persekitaran yang baik) 13. Julat jarak pemisahan: 0-50um boleh disesuaikan. 14. Kaedah pendedahan: pendedahan sentuh.(sentuh keras/lunak/mikro) 15. Kaedah keseimbangan: Penapungan udara. 16. Sistem mikroskop: sistem CCD dengan dua medan pandang, objektif 1.6X~10X, sistem pengolahan imej komputer, pantau LCD 19 "; Kecerunan keseluruhan 91-570x. Jarak objektif: 50-120mm. 17. Saiz topeng: 127*127mm; 102*102mm 18. Saiz substrat: Φ102mm; Φ76mm 19. Ketebalan substrat: ≤1mm 20. Masa pendedahan: 0-999.9 saat boleh disesuaikan. 21.Kuasa: 220V 50Hz 1.5kw. 22.sumber udara?0.4Mpa 23.Tingkat vakum: -0.07MPa~-0.09Mpa
Pembungkusan & Penghantaran
Profil Syarikat
Kami mempunyai 16 tahun pengalaman dalam penjualan peralatan. Kami boleh memberi anda penyelesaian profesional garis pakej Semikonduktor hadapan dan belakang satu henti dari China.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
