Peralatan ini digunakan terutamanya untuk pembangunan dan pengeluaran litar bersepadu bersaiz kecil dan sederhana, komponen semikonduktor, dan peranti gelombang akustik permukaan. Oleh kerana mekanisme perataan lanjutan dan daya perataan yang rendah, mesin ini bukan sahaja sesuai untuk pendedahan pelbagai jenis substrat, tetapi juga untuk pendedahan substrat yang mudah pecah seperti kalium arsenida dan keluli fosfat, serta pendedahan bukan substrat bulat dan kecil.
spesifikasi
Parameter utama teknikal
1. Jenis pendedahan: pendedahan sebelah tunggal 2. Kawasan pendedahan: 110X110mm; 3. Keseragaman pendedahan: ≥ 97%; 4. Keamatan pendedahan: 0-30mw/cm2 boleh laras; 5. Sudut pancaran UV: ≤ 3 ° 6. Panjang gelombang pusat cahaya ultraungu: 365nm; 7. Jangka hayat sumber cahaya UV: ≥ 20000 jam; (waranti 2 tahun) 8. Mengguna pakai pengatup elektronik; 9. Peleraian pendedahan: 1 μ M 10. Julat pandangan Camara: ± 15mm Y: ± 15mm 11. Julat penjajaran: x: ± 4mm Y: ± 4mm Q：±3°. 12. Ketepatan penjajaran: 1um (di bawah keadaan persekitaran yang baik) 13. jarak pemisahan julat: 0-50um boleh laras. 14. Kaedah pendedahan: pendedahan sentuhan. (sentuhan keras/lembut/mikro) 15. Kaedah imbangan: Pengapungan udara. 16. Sistem mikroskopik: sistem CCD medan pandangan dwi, kanta objektif 1.6X~10X, sistem pemprosesan imej komputer, 19 "monitor LCD; Jumlah pembesaran 91-570x. jarak objektif: 50-120mm. 17. Saiz topeng: 127*127mm;102*102mm 18. Saiz substrat: Φ102mm；Φ76mm 19. Ketebalan substrat: ≤1mm 20. Masa pendedahan: 0-999.9 saat boleh laras. 21.Kuasa: 220V 50Hz 1.5kw. 22.sumber udara?0.4Mpa 23.Ijazah vakum: -0.07MPa~-0.09Mpa
Pembungkusan & Penghantaran
Profil Syarikat
Kami mempunyai 16 tahun pengalaman dalam penjualan peralatan. Kami boleh menyediakan penyelesaian profesional peralatan Talian Pakej Bahagian Hadapan dan Bahagian Belakang Semikonduktor Sehenti Sehenti dari China.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
TIDAK
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
