Виробничий процес полупровідників RIE PLASMA пристрій для видалення PR Фоторезисту Видалення залишків фоторезисту , China Виробничий процес полупровідників RIE PLASMA пристрій для видалення PR Фоторезисту Видалення залишків фоторезисту Manufacturers, Suppliers, Factory

Опис продукту

RIE ПЛАЗМА Видалення фотоrezystу

Етчинг карбіду силикону
Очищення поверхні після етчингу
DESCUM
Шар твердої маски, сухе видалення
Етчинг силикону або нітриду силикону
Видалення оптичного сопротивлення між медіями
Видалення поверхневих залишків

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal details

Процес

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal factory

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal manufacture

Перевага:

ОСНОВНА ПЕРЕВАГА

Висока швидкість зголоження: Висока щільність плазми, швидка швидкість зголоження
Стійкість: Після плазменної обробки, висока воспроизводимість
Віддалена плазма: Віддалена плазма, низька іонна повредження пластини
Особливості програмного забезпечення: незалежне дослідження та розробка програмного забезпечення, інтуїтивна анімація процесу, детальні дані та записи
Рівномірність: Плазма може керувати тиском та температурою через заслонку-бабочка
Фактор безпеки: Низька плазма зменшує повредження продукту при випуску.
Післепродажні послуги: Швидка реакція та достатні запаси
Контроль пилу: Відповідає вимогам клієнта.
Ядрова технологія: Майже 40% членів команди R&D

Платформа Касет (MD-ST 6100/620)

1. 4 Переносники пластин
2. Висока сумісність: гнучкість вибору розміру кристалів забезпечує високу ефективність витрат і рішень
3. Вакуумна камера з високою стабільністю:
Досвідчений і стабільний дизайн вакуумної передачі багато років успішно застосовується на ринку і має високе визнання клієнтів.
Дизайн вертлюга, компактний простір, значно зменшує ризик ЧАСТИНИЦЬ
4. Гуманізований інтерфейс програмного забезпечення:
Інтуїтивно зрозумілий гуманізований інтерфейс програмного забезпечення, реальне моніторингове спостереження за станом працездатності машини;
Повний функціонал попередження та захисту від помилкових дій.
Могутній функціонал експорту даних, запис параметрів різних процесів та експорт записів виробництва продукції.

Робот

1. Дизайн одночасного вибірки та розміщення двох кристалів забезпечує високу продуктивність
2. Покращити ефективність використання простору.

Отопляльна пластина

1. Високоточний контроль температури пластини для субстратів
Пластинка для нагріву субстратів від кімнатної температури до 250°C, точність керування температурою ±1°C
Пластинка для нагріву субстратів була калібрована професійними приладами, щоб забезпечити рівномірність. В межах ±3°C, що гарантує рівномірне видалення клею
2. Обробка двох субстратів у одному камере
Дизайн з одною камeroю для двох субстратів;
Незалежний випуск потужності для кожного субстрату, що забезпечує ефект видалення PR навколо кожного субстрату;
Забезпечуючи ефективність UPH, зменшуються вартості продукції. Висока сумісність
3. Потужність виробництва: реактор з дизайном для двох субстратів, висока продуктивність.

Специфікація

Plasma source			rF
Потужність	ICP	_
Потужність		BIAS	1000W(опція)
Сфера застосування			4~8 дюймів
Кількість оброблених пластин у одному циклі			1
Вигляд			850ммx900ммx1850мм
системне керування			ПЛК
Рівень автоматизації			Посібник

Матеріально-технічні можливості
Час роботи/Доступний час	≧95%
Середній час очищення (MTTC)	≦6 годин
Середній час на ремонт (MTTR)	≦4 години
Середній час між відмовами (MTBF)	≧350 годин
Середній час між допомогою (MTBA)	≧24 години
Середній кількість пластина між зламами (MWBB)	≦1 в 10 000 пластинах
Керування гріючою пластинкою	50-250°

Доповідь про випробування

Semiconductor industry RIE PLASMA PR removal machine Photoresist Residual Removal supplier

Вид з заводу

Упаковка та доставка

Профіль компанії

У нас є 16 років досвіду в продажу обладнання. Ми можемо запропонувати вам комплексне рішення для обладнання лінії пакування переднього та заднього етапу полупроводників з Китаю!