Lò nung nhanh được sử dụng để làm gì trong quá trình sản xuất wafer?

Lò nung nhanh sử dụng bóng đèn halogen hồng ngoại làm nguồn nhiệt để làm nóng vật liệu lên nhiệt độ cần thiết thông qua quá trình làm nóng nhanh, nhằm cải thiện cấu trúc tinh thể và đặc tính quang điện của vật liệu.

Đặc điểm của nó bao gồm hiệu quả cao, tiết kiệm năng lượng, độ tự động hóa cao và làm nóng đều.

Ngoài ra, lò nung tinh luyện nhanh cũng có độ chính xác kiểm soát nhiệt độ cao và sự đồng đều về nhiệt độ, có thể đáp ứng được các nhu cầu của nhiều quy trình phức tạp khác nhau.

Lò nung tinh luyện nhanh sử dụng hệ thống điều khiển vi tính tiên tiến, kết hợp với công nghệ điều khiển nhiệt độ vòng kín PID, đảm bảo độ chính xác kiểm soát nhiệt độ cao và sự đồng đều về nhiệt độ.

Tốc độ làm nóng cực nhanh được đạt được thông qua các nguồn nhiệt hiệu quả như đèn halogen hồng ngoại, và tấm wafer được làm nóng nhanh chóng đến nhiệt độ đã định trước, nhằm loại bỏ một số khuyết tật trong tấm wafer và cải thiện cấu trúc tinh thể và đặc tính quang điện của nó.

Kiểm soát nhiệt độ chính xác cao này rất quan trọng đối với chất lượng của tấm wafer và có thể cải thiện hiệu quả hiệu suất và độ tin cậy của tấm wafer.

Trong quá trình sản xuất tấm wafer, việc áp dụng lò nung tinh luyện nhanh bao gồm nhưng không giới hạn ở các khía cạnh sau:

1. Tối ưu hóa cấu trúc tinh thể: nhiệt độ cao góp phần sắp xếp lại cấu trúc tinh thể, loại bỏ khuyết tật mạng tinh thể và cải thiện trật tự của các tinh thể, từ đó nâng cao dẫn điện điện tử của vật liệu bán dẫn.

2. Loại bỏ tạp chất: nhiệt độ cao RTP làm nóng nhanh có thể thúc đẩy sự khuếch tán của tạp chất ra khỏi tinh thể bán dẫn và giảm nồng độ tạp chất.

Điều này giúp cải thiện đặc tính điện tử của thiết bị bán dẫn và giảm mức năng lượng hoặc sự tán xạ electron do tạp chất gây ra.

3. Loại bỏ chất nền: trong quá trình CMOS, lò làm nóng nhanh có thể được sử dụng để loại bỏ vật liệu chất nền, chẳng hạn như oxit silic hoặc nitride silic, để tạo ra các thiết bị SOI (chất cách điện trên silic) siêu mỏng.