Wat is die doel van 'n vinnige termiese verwerking (RTP)-stelsel in wafer-vervaardigingsproses?

RTP gebruik halogeen-infrarooilampe as 'n hittebron om die materiaal vinnig tot die verlangde temperatuur te verhit en sodoende die kristalstruktuur en opto-elektroniese eienskappe van die materiaal te verbeter.

Sy kenmerke sluit in hoë doeltreffendheid, energiebesparing, hoë mate van outomatisering en eenvormige verhitting.

Daarbenewens het RTP ook hoë temperatuurbeheer akkuraatheid en temperatuur eenvormigheid, wat kan voldoen aan die behoeftes van verskeie komplekse prosesse.

Daarbenewens neem RTP gevorderde mikrorekenaarbeheerstelsel en PID-geslote-lus temperatuurbeheertegnologie aan, dit het 'n hoë temperatuurbeheer akkuraatheid en temperatuur eenvormigheid, en kan aan die behoeftes van verskeie komplekse prosesse voldoen.

Deur doeltreffende hittebronne soos halogeen infrarooi lampe te gebruik om die wafel vinnig tot 'n voorafbepaalde temperatuur te verhit, kan sommige defekte binne die wafer uitgeskakel word, en die kristalstruktuur en opto-elektroniese werkverrigting kan verbeter word.

Hierdie hoë-presisie temperatuurbeheer is baie belangrik vir die kwaliteit van die wafer en kan die werkverrigting en betroubaarheid van die wafer effektief verbeter.

In die proses van wafervervaardiging sluit die toepassing van RTP die volgende aspekte in, maar is nie beperk nie tot:

1. Kristalstruktuuroptimering:

Hoë temperatuur help om die kristalstruktuur te herrangskik, kristalstruktuurdefekte uit te skakel, die ordelikheid van kristal te verbeter en sodoende die elektroniese geleidingsvermoë van halfgeleiermateriale te verbeter.

2. Onreinheid verwydering:

RTP kan die verspreiding van onsuiwerhede vanaf halfgeleierkristalle bevorder, wat die konsentrasie van onsuiwerhede verminder. Dit help om die elektroniese eienskappe van halfgeleiertoestelle te verbeter en om energievlakke of elektronverstrooiing wat deur onsuiwerhede veroorsaak word, te verminder.

3. In CMOS-tegnologie kan RTP gebruik word om substraatmateriale soos silikonoksied of silikonnitried te verwyder om ultradun SOI (isolator op silikon) toestelle te vorm.

RTP is 'n sleuteltoerusting in die halfgeleiervervaardigingsproses, gekenmerk deur hoë akkuraatheid, hoë doeltreffendheid en hoë buigsaamheid. Dit is van groot belang vir die verbetering van wafer-prestasie en die bevordering van die ontwikkeling van die halfgeleierbedryf.