Guangzhou Minder-Hightech Co., Ltd.

Əsas səhifə
Bizim haqqımızda
MH Avadanlıqları
Həll
Xarici İstifadəçilər
Video
Əlaqə
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-42
Ana səhifə> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq
  • İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq

İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq Azərbaycan

Product Description
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma (icp) sistemi
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq təfərrüatları
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq təchizatçısı
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq fabriki
Proses Nəticəsi

Kvars / silisium / ızgara aşındırma

Kvars və ya silikon materialları aşındırmaq üçün BR maskasından istifadə edərək, ızgara massiv nümunəsi 300 nm-ə qədər ən incə xəttə malikdir və naxışın yan divarının dikliyi > 89 ° -ə yaxındır, bu da 3D displey, mikro optik cihazlar, optoelektron rabitə, və s
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq fabriki

Qarışıq / yarımkeçirici aşındırma

Nümunə səthinin temperaturuna dəqiq nəzarət GaN əsaslı, GaAs, InP və metal materialların aşındırma morfologiyasına yaxşı nəzarət edə bilər. Mavi LED cihazları, lazerlər, optik rabitə və digər tətbiqlər üçün uyğundur.
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq istehsalı

Silikon əsaslı materialın aşındırılması

Si, SiO2 və SiNx kimi silikon əsaslı materialların aşındırılması üçün uyğundur. 50nm-dən yuxarı silikon xətti aşındırmağı və 100um-dan aşağı silikon dərin deşik aşındırmağı həyata keçirə bilər
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq fabriki
spesifikasiya
Layihə konfiqurasiyası və maşın strukturu diaqramı
maddə
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Product ölçüsü
≤6 düym
≤8 düym
≤6 düym
≤8 düym
Xüsusi≥12 düym
SRF Enerji mənbəyi
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
BRF Enerji mənbəyi
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
Molekulyar nasos
Qeyri-korroziya: 600 /1300 (L/s)/Xüsusi
Korroziyaya qarşı: 600 /1300 (L./s)/Xüsusi
600/1300(L/s) /Xüsusi
Ön xətt nasosu
Mexanik nasos / quru nasos
Korroziyaya qarşı quru nasos
Mexanik nasos / quru nasos
Əvvəlcədən nasos nasosu
Mexanik nasos / quru nasos
Mexanik nasos / quru nasos
Proses təzyiqi
Nəzarət olunmayan təzyiq/0-0.1/1/10Torr idarə olunan təzyiq
Qaz növü
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom
(12 kanala qədər, aşındırıcı və zəhərli qaz yoxdur)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Fərdi (12 kanala qədər)
Qaz diapazonu
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
LoadLock
Hə Yox
bəli
Nümunə nəzarəti
10°C~Otaq/ -30°C~150°C /Xüsusi
-30°C~200°C/Xüsusi
Arxa helium soyutma
Hə Yox
bəli
Proses boşluğunun astarlanması
Hə Yox
bəli
Boşluq divarına nəzarət
No/Otaq temperaturu-60/120°C
Otaq temperaturu ~60/120°C
Control System
Avtomatik/fərdi
Aşınma materialı
Silikon əsas: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Üzvi materiallar: PR/Organic
film......
Silikon əsas: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Maqnit material / ərinti material
Metal materiallar: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Üzvi materiallar: PR/Organic film......
Silikon dərin aşındırma
Qablaşdırma və Çatdırılma
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq təchizatçısı
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq təfərrüatları
Profili
Avadanlıqların satışı üzrə 16 illik təcrübəmiz var. Biz sizə Çindən One-stop Semiconductor Front-end və Back end Package Line avadanlıqlarının peşəkar həllini təqdim edə bilərik.
İnduktiv birləşdirici plazma aşındırma sistemi (ICP) Yarımkeçirici avadanlıq təchizatçısı

araşdırma

product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-69araşdırma product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-70mina product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-71WhatsApp product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-72 WeChat
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-73
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-74yuxarı
×

Əlaqə