Bu avadanlıq əsasən kiçik və orta ölçülü inteqral sxemlərin, yarımkeçirici komponentlərin və səthi akustik dalğa cihazlarının işlənib hazırlanması və istehsalı üçün istifadə olunur. Qabaqcıl hamarlama mexanizmi və aşağı hamarlama gücü sayəsində bu maşın təkcə müxtəlif növ substratların ifşası üçün deyil, həm də kalium arsenid və fosfat polad kimi asanlıqla parçalanan substratların, eləcə də qeyri-bərabər elementlərin ifşası üçün uyğundur. dairəvi və kiçik substratlar.
spesifikasiya
Əsas texniki parametrləri
1. Ekspozisiya növü: tək tərəfli ekspozisiya 2. Ekspozisiya sahəsi: 110X110mm; 3. Ekspozisiya vahidliyi: ≥ 97%; 4. Ekspozisiya intensivliyi: 0-30mw/sm2 tənzimlənən; 5. UV şüasının bucağı: ≤ 3 ° 6. Ultrabənövşəyi işığın mərkəzi dalğa uzunluğu: 365nm; 7. UV işıq mənbəyinin ömrü: ≥ 20000 saat; (2 il zəmanət) 8. Elektron bağlamanın qəbulu; 9. Ekspozisiya həlli: 1 μ M 10.Kamera baxış diapazonu: ± 15mm Y: ± 15mm 11. Hizalama diapazonu: x: ± 4mm Y: ± 4mm Q:±3°. 12. Hizalama dəqiqliyi: 1um (yaxşı mühit şəraitində) 13.Separation məsafə diapazonu: 0-50um tənzimlənən. 14.Ekspozisiya metodu: kontakt məruz qalma.(sərt/yumşaq/mikro toxunma) 15. Balans metodu: Hava flotasiyası. 16. Mikroskopik sistem: ikili baxış sahəsi CCD sistemi, obyektiv obyektiv 1.6X~10X, kompüter təsviri emal sistemi, 19 "LCD monitor; Ümumi böyütmə 91-570x. Obyektiv məsafəsi : 50-120mm. 17. Maskanın ölçüsü: 127*127mm;102*102mm 18. Substrat ölçüsü: Φ102mm；Φ76mm 19. Substratın qalınlığı: ≤1mm 20. Ekspozisiya vaxtı: 0-999.9 saniyə tənzimlənir. 21.Güc: 220V 50Hz 1.5kw. 22.hava mənbəyi?0.4Mpa 23.Vakuum dərəcəsi: -0.07MPa~-0.09Mpa
Qablaşdırma və Çatdırılma
Profili
Avadanlıqların satışı üzrə 16 illik təcrübəmiz var. Biz sizə Çindən One-stop Semiconductor Front-end və Back end Package Line avadanlıqlarının peşəkar həllini təqdim edə bilərik.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
YOX
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
