Sistema de Procesamiento Térmico Rápido de Escritorio / SISTEMA RTP

Equipo RTP para semiconductores compuestos 、SlC、LED y MEMS

Aplicaciones industriales

Crecimiento de óxidos y nitruros

Contacto óhmico de aleación rápida

Revestimiento de aleación de silicida

Oxidación reflux

Proceso de arseniuro de galio

Otros procesos de tratamiento térmico rápido

Característica：

Calefacción con lámpara infrarroja halógena, enfriamiento mediante enfriamiento por aire;

Control de temperatura PlD para la potencia de la lámpara, lo que puede controlar con precisión el aumento de temperatura, asegurando una buena reproducibilidad y uniformidad térmica;

La entrada del material se establece en la superficie del WAFER para evitar la formación de puntos fríos durante el proceso de recocido y garantizar una buena uniformidad térmica del producto;

Se pueden seleccionar tanto métodos de tratamiento atmosférico como bajo vacío, con pretratamiento y purificación del cuerpo;

Dos conjuntos de gases de proceso son estándar y se pueden expandir hasta un máximo de 6 conjuntos de gases de proceso;

El tamaño máximo de una muestra de silicio monocristalino medible es de 12 pulgadas (300x300 MM);

Se implementan plenamente las tres medidas de seguridad de protección de apertura de temperatura segura, permiso de apertura del controlador de temperatura y protección de parada de emergencia del equipo para garantizar la seguridad del instrumento;

Informe de prueba:

Coincidencia de curvas de grado 20:

20 curvas de control de temperatura a 850 ℃

Coincidencia de 20 curvas de temperatura promedio

Control de temperatura a 1250 ℃

Proceso de control de temperatura RTP a 1000 ℃

Proceso a 960 ℃, controlado por pirómetro infrarrojo

Datos del proceso LED

El sensor de temperatura RTD Wafer utiliza técnicas de procesamiento especiales para incrustar sensores de temperatura (RTDs) en ubicaciones específicas en la superficie de un wafer, lo que permite la medición en tiempo real de la temperatura de la superficie del wafer.

Las mediciones de temperatura reales en ubicaciones específicas del wafer y la distribución general de temperatura del wafer se pueden obtener a través del RTD Wafer; También se puede utilizar para monitorear continuamente los cambios transitorios de temperatura en los wafers durante el proceso de tratamiento térmico.