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  • Limpieza de Wafer Semiconductores después de la Etching ICP Máquina de Plasma Experimental para Eliminación de Fotoresistente
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Limpieza de Wafer Semiconductores después de la Etching ICP Máquina de Plasma Experimental para Eliminación de Fotoresistente

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Descripción del Producto

Máquina Experimental de Plasma ICP para la Eliminación de Photoresist

Remoción de Polímeros, Etching de Óxido de Silicio o Carburo de Silicio, Limpieza Superficial después del Etching
Eliminación de polímero ASHING Eliminación seca de la capa de máscara dura Eliminación de fotoresistencia después del implante de iones Eliminación de resistencia óptica entre medios Eliminación de fotoresistencia en el proceso BAW/SAW Limpieza seca de la capa de película antirreflectante Grabado de óxido de silicio o nitrógeno de silicio Eliminación de residuos superficiales Limpieza superficial después del grabado Grabado de carburo de silicio
Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier
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Especificación
Fuente de plasma
RF+BIAS
Poder
1000W
1000W
600 W
600 W
Ámbito de Aplicación
4-8 pulgadas
Cantidad de procesamiento individual por lote
uno
Dimensiones externas
1140mm x 1050mm x 1620mm
Control del sistema
Sistema de Control Industrial
Nivel de automatización
Manual
Fábrica
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Embalaje y entrega
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Perfil de la empresa
¡16 años de experiencia en exportación de equipos! ¡Podemos ofrecerle una solución integral para Procesos y Equipos de Semiconductores de Front End!
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