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Sistema de Etching de Plasma Acoplado Inductivamente (ICP) Equipo para semiconductores

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Descripción del Producto
Sistema de grabado por plasma acoplado inductivamente (icp)
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Resultado del proceso

Grabado de cuarzo / silicio / rejilla

Usando máscara BR para grabar materiales de cuarzo o silicio, el patrón de matriz de rejilla tiene la línea más fina hasta 300nm y la inclinación de las paredes laterales del patrón es cercana a > 89°, lo que puede aplicarse a displays 3D, dispositivos ópticos microscópicos, telecomunicaciones optoelectrónicas, etc.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Grabado de compuestos / semiconductores

El control preciso de la temperatura de la superficie de la muestra permite un buen control de la morfología de etching de materiales basados en GaN, GaAs, InP y metales. Es adecuado para dispositivos LED azules, láseres, comunicación óptica y otras aplicaciones.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etching de material a base de silicio

Es adecuado para el etching de materiales a base de silicio como Si, SiO2 y SiNx. Puede realizar etching de líneas de silicio mayores a 50nm y etching de agujeros profundos en silicio inferiores a 100um
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Especificación
Configuración del proyecto y diagrama de la estructura de la máquina
Artículo
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Tamaño del producto
≤6 pulgadas
≤8 pulgadas
≤6 pulgadas
≤8 pulgadas
Personalizado≥12pulgadas
Fuente de poder SRF
0~1000W/2000W/3000W/5000W Ajustable, emparejamiento automático\, 13.56MHz/27MHz
Fuente de poder BRF
0~300W/0~500W/0~1000W Ajustable, emparejamiento automático, 2MHz/13.56MHz
Bomba molecular
No corrosivo : 600 /1300 (L/s) /Personalizado
Anticorrosivo: 600 /1300 (L/s) /Personalizado
600/1300(L/s) /Personalizado
Bomba Foreline
Bomba mecánica / bomba seca
Bomba seca anticorrosiva
Bomba mecánica / bomba seca
Bomba de prebombeo
Bomba mecánica / bomba seca
Bomba mecánica / bomba seca
Presión de proceso
Presión no controlada/0-0.1/1/10Torr presión controlada
Tipo de gas
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Personalizado
(Hasta 12 canales, sin gases corrosivos y tóxicos)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Personalizado (Hasta 12 canales)
rango de gas
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Personalizado
CargaBloqueada
Sí/No
Sí
Control de temperatura de muestra
10°C~TemperaturaAmbiente/-30°C~150°C/Personalizado
-30°C~200°C/Personalizado
Enfriamiento con helio trasero
Sí/No
Sí
Forro de cavidad de proceso
Sí/No
Sí
Control de temperatura de la pared de la cavidad
No/TemperaturaAmbiente-60/120°C
TemperaturaAmbiente~60/120°C
Sistema de Control
Automático/personalizado
Material de grabado
Base de silicio: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Materiales orgánicos: PR/Orgánico
película......
Base de silicio: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Material magnético / material de aleación
Materiales metálicos: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Materiales orgánicos: PR/Película orgánica......
Grabado profundo en silicio
Embalaje y entrega
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Perfil de la empresa
Contamos con 16 años de experiencia en ventas de equipos. Podemos ofrecerle una solución profesional integral para líneas de empaquetado de semiconductores de frontend y backend desde China.
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