Sistema de grabado de plasma de acoplamiento inductivo (ICP) Equipos semiconductores, China Sistema de grabado de plasma de acoplamiento inductivo (ICP) Equipos semiconductores Fabricantes, Proveedores, Fábrica

Descripción del producto

Sistema de grabado por plasma de acoplamiento inductivo (icp)

Sistema de grabado por plasma de acoplamiento inductivo (ICP) Fábrica de equipos semiconductores

Resultado del proceso

Cuarzo / silicio / grabado en rejilla

Al utilizar una máscara BR para grabar materiales de cuarzo o silicio, el patrón de rejilla tiene la línea más delgada de hasta 300 nm y la inclinación de la pared lateral del patrón es cercana a > 89°, lo que se puede aplicar a pantallas 3D, dispositivos microópticos y comunicaciones optoelectrónicas. etc.

Grabado de compuestos/semiconductores

El control preciso de la temperatura de la superficie de la muestra puede controlar bien la morfología de grabado de materiales metálicos, GaAs, InP y basados en GaN. Es adecuado para dispositivos LED azules, láseres, comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.

Sistema de grabado por plasma de acoplamiento inductivo (ICP) Fabricación de equipos semiconductores

Grabado de materiales a base de silicona

es adecuado para grabar materiales a base de silicio como Si, SiO2 y SiNx. Puede realizar un grabado de líneas de silicio por encima de 50 nm y un grabado de orificios profundos de silicio por debajo de 100 um.

Especificaciones

Configuración del proyecto y diagrama de estructura de la máquina.

Asunto	MD150S-ICP	MD200S-ICP	MD150CS-ICP	MD200CS-ICP	MD300C-ICP
Tamaño del producto	≤6 pulgadas	≤8 pulgadas	≤6 pulgadas	≤8 pulgadas	Personalizado≥12 pulgadas
Fuente de energía SRF	0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
Fuente de energía BRF	0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
bomba molecular	No corrosivo: 600 /1300 (L/s)/Personalizado			Anticorrosión: 600 /1300 (L./s)/Personalizado		600/1300(L/s) /Personalizado
bomba delantera	Bomba mecánica/bomba seca			Bomba seca anticorrosión		Bomba mecánica/bomba seca
Bomba de prebombeo	Bomba mecánica/bomba seca			Bomba mecánica/bomba seca
Presión de proceso	Presión no controlada/0-0.1/1/10Torr presión controlada
Tipo de gas	H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom (Hasta 12 canales, sin gases corrosivos ni tóxicos)			H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Personalizado (hasta 12 canales)
Rango de gas	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
Bloqueo de carga	Si no			Sí
Control de temperatura de muestra	10°C~Temperatura ambiente/ -30°C~150°C /Personalizado			-30°C~200°C/Personalizado
Refrigeración trasera con helio	Si no			Sí
Revestimiento de la cavidad del proceso	Si no			Sí
Control de temperatura de la pared hueca	No/Temperatura ambiente-60/120°C			Temperatura ambiente ~60/120°C
Sistema de control	Automático/personalizado
Material de grabado	Base de silicio: Si/SiO2/ SiNx/SiC..... Materiales orgánicos:PR/Orgánico película......			Base de silicio: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Material magnético/material de aleación Materiales metálicos: Ni/Cr/Al/Cu/Au... Materiales orgánicos: PR/Película orgánica...... Grabado profundo de silicio

Embalaje y Entrega

Perfil de la empresa

Contamos con 16 años de experiencia en la venta de equipos. Podemos proporcionarle una solución profesional integral de equipos de línea de paquetes frontal y posterior de semiconductores de China.