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  • PECVD Equipo de depósito químico por vapor mejorado por plasma / Proceso de alta temperatura PECVD
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PECVD Equipo de depósito químico por vapor mejorado por plasma / Proceso de alta temperatura PECVD

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Descripción del Producto

PECVD Equipo de deposición química por vapor mejorada por plasma

◆ Se logra un control completamente automático del tiempo de proceso, temperatura, flujo de gas, acción de válvula y presión de la cámara de reacción mediante
computadora industrial.
◆ Se adopta un sistema de control de presión importado y un sistema de bucle cerrado, con alta estabilidad.
◆ Se utilizan accesorios y válvulas de acero inoxidable resistentes a la corrosión importados para garantizar la hermeticidad del circuito de gas.
◆ Cuenta con una función de alarma perfecta y un dispositivo de seguridad interbloqueado.
◆ Incluye alarma de temperatura ultra-alta y baja temperatura, alarma MFC, alarma de presión de la cámara de reacción, alarma RF, alarma de baja presión de aire comprimido, alarma de baja presión de N2 y alarma de bajo flujo de agua de enfriamiento.
◆ El PECVD existente tiene la función de crecimiento de la película de SiO2 después de la actualización, lo que resuelve el problema de PID del módulo de batería. Se puede crecer una película de SiNxOy (proceso de pasivación posterior), lo que puede mejorar considerablemente la eficiencia de conversión de la batería.
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process supplier
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process details
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory

Tipo

◆ Cantidad de carga: 384 piezas/barco (125 * 125); 336 piezas/barco (156 * 156)
◆ Nivel de limpieza de la mesa de purificación: Clase 100 (planta Clase 10000)
◆ Grado de automatización: control automático de temperatura y proceso.
◆ Modo de envío y recepción de chips: tipo de aterrizaje suave, con características estables y confiables, sin deslizamiento, posicionamiento preciso, gran capacidad de carga y larga vida útil.
Especificación
Carga máxima por tubo
384 piezas/barco (125*125)
336 piezas/barco (156*156)
Índice de procesos
± 3% en la tableta, ± 3% entre tabletas, ± 3% entre lotes
Temperatura de trabajo
200~500℃
Precisión y longitud de la zona de temperatura (prueba estática de tubo cerrado)
1200mm±1℃
Precisión del flujo de gas
±1%FS
Hermeticidad del sistema de circuito de aire
1×10-7Pa.m³/S
Control
Sistema de regulación automática de presión de bucle cerrado completamente importado, control preciso del vacío de reacción; suministro de energía de alta frecuencia de 40KHz
aterrizaje suave del barco artesanal; control totalmente digital, protección perfecta y segura del proceso de control.
Se pueden elegir 1 tubo, 2 tubos, 3 tubos y 4 tubos; el manipulador de carga automático es opcional, y el rendimiento del equipo
y el rendimiento del proceso pueden compararse con los mejores equipos similares del mundo.
Embalaje y entrega
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process manufacture
Para garantizar mejor la seguridad de sus productos, se proporcionarán servicios de embalaje profesionales, respetuosos con el medio ambiente, convenientes y eficientes.
Perfil de la empresa
Contamos con 16 años de experiencia en ventas de equipos. Podemos ofrecerle una solución profesional integral para líneas de empaquetado de semiconductores de frontend y backend desde China.

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