Equipo de deposición química de vapor mejorada con plasma PECVD / Proceso PECVD de alta temperatura, China Equipo de deposición química de vapor mejorada con plasma PECVD / Proceso PECVD de alta temperatura Fabricantes, Proveedores, Fábrica

Descripción del producto

Equipo de deposición química de vapor mejorado con plasma PECVD

◆ El control completamente automático del tiempo del proceso, la temperatura, el flujo de gas, la acción de la válvula y la presión de la cámara de reacción se realiza mediante
Computadora industrial.
◆ Se adoptan un sistema de control de presión importado y un sistema de circuito cerrado, con alta estabilidad.
◆ Se utilizan válvulas y accesorios de tubería de acero inoxidable resistentes a la corrosión importados para garantizar la estanqueidad del circuito de gas.
◆ Tiene una función de alarma perfecta y un dispositivo de bloqueo de seguridad.
◆ Tiene alarma de temperatura ultraalta y alarma de baja temperatura, alarma MFC, alarma de presión de la cámara de reacción, alarma de RF, alarma de baja presión de aire comprimido, alarma de baja presión de N2 y alarma de bajo flujo de agua de refrigeración.
◆ El PECVD existente tiene la función de hacer crecer la película de SiO2 después de la actualización, lo que resuelve el problema PID del módulo de batería. La película SiNxOy se puede cultivar (proceso de pasivación inversa), lo que puede mejorar en gran medida la eficiencia de conversión de la batería.

Equipo de deposición química de vapor mejorada con plasma PECVD / Proveedor de procesos PECVD de alta temperatura

Equipo de deposición química de vapor mejorado con plasma PECVD / Detalles del proceso PECVD de alta temperatura

Equipo de deposición de vapor químico mejorado con plasma PECVD / Fábrica de proceso PECVD de alta temperatura

Type

◆ Cantidad de carga: 384 piezas/barco (125 * 125); 336 piezas/barco (156 * 156)
◆ Limpieza de la mesa de purificación: Grado 100 (planta Grado 10000)
◆ Grado de automatización: control automático de temperatura y proceso.
◆ Modo de envío y recepción de chips: tipo de aterrizaje suave, con características estables y confiables, sin desplazamiento, posicionamiento preciso, gran capacidad de carga y larga vida útil.

Especificaciones

Carga máxima por tubo	384 piezas/barco (125125) 336 piezas/barco (156156)
índice de proceso	± 3% en tableta, ± 3% entre tabletas, ± 3% entre lotes
temperatura de trabajo	200 500 ℃ ~
Precisión y longitud de la zona de temperatura (prueba estática en tubo cerrado)	1200 mm ± 1 ℃
Precisión del flujo de gas	± 1% FS
Estanqueidad del sistema de circuito de aire.	1×10-7Pa.m³/S
control	Sistema de regulación de circuito cerrado de presión automático totalmente importado, control preciso del vacío de reacción; Potencia de alta frecuencia de 40 KHz suministrar; Embarcación de aterrizaje suave; Control digital completo, protección de control de procesos perfecta y segura.
1 tubo, 2 tubos, 3 tubos y 4 tubos son opcionales; El manipulador de carga automática es opcional y el rendimiento del equipo y el rendimiento del proceso puede ser comparable con los mejores equipos similares del mundo.

Embalaje y Entrega

Equipo de deposición química de vapor mejorado con plasma PECVD / Fabricación de procesos PECVD de alta temperatura

Para garantizar mejor la seguridad de sus productos, se proporcionarán servicios de embalaje profesionales, ecológicos, convenientes y eficientes.

Perfil de la empresa

Contamos con 16 años de experiencia en la venta de equipos. Podemos proporcionarle una solución profesional integral de equipos de línea de paquetes frontal y posterior de semiconductores de China.