Proporcionar equipo RTP confiable para semiconductores compuestos, SlC, LED y MEMS
Aplicaciones industriales
* Crecimiento de óxidos, nitruros * Aleación rápida de contacto ohmico * Revestimiento de aleación de silicida * Oxidación reflux * Proceso de arseniuro de galio * Otros procesos de tratamiento térmico rápido
Ventajas del producto
1. El rango del proceso cubre 200-1250 ℃ 2. Un potente sistema de gestión del campo de temperatura 3. Algoritmo RTP dedicado 4. Herramienta de calibración profesional TC Wafer
Característica
* Calefacción con lámpara infrarroja halógena, enfriamiento mediante enfriamiento por aire; * Control de temperatura PlD para la potencia de la lámpara, lo que puede controlar con precisión el aumento de temperatura, asegurando buena reproducibilidad y uniformidad térmica; * La entrada de material se establece en la superficie del WAFER para evitar la producción de puntos fríos durante el proceso de recocido y asegurar una buena uniformidad térmica del producto; * Se pueden seleccionar tanto métodos de tratamiento a presión atmosférica como bajo vacío, con pretratamiento y purificación del cuerpo; * Dos conjuntos de gases de proceso son estándar y se pueden expandir hasta un máximo de 6 conjuntos de gases de proceso; * El tamaño máximo de una muestra de monocristal de silicio medible es de 12 pulgadas (300x300 MM); * Se implementan por completo las tres medidas de seguridad de protección de apertura de temperatura segura, protección de permiso de apertura del controlador de temperatura y protección de parada de emergencia del equipo para garantizar la seguridad del instrumento;
Coincidencia de curvas de 20 grados
20 curvas de control de temperatura a 850 ℃
Coincidencia de 20 curvas de temperatura promedio
control de temperatura a 1250 ℃
Proceso de control de temperatura RTP a 1000 ℃
proceso a 960 ℃, controlado por pirómetro infrarrojo
Datos del proceso LED
El sensor de temperatura RTD Wafer utiliza técnicas de procesamiento especiales para incrustar sensores de temperatura (RTDs) en ubicaciones específicas en la superficie de un wafer, lo que permite la medición en tiempo real de la temperatura de la superficie del wafer. Las mediciones de temperatura reales en ubicaciones específicas del wafer y la distribución general de temperatura del wafer se pueden obtener a través del RTD Wafer; También se puede utilizar para monitorear continuamente los cambios transitorios de temperatura en los wafers durante el proceso de tratamiento térmico.
Vista de la fábrica
Perfil de la empresa
¡16 años de experiencia en exportación de equipos! ¡Podemos proporcionarte una solución integral para Procesos y Equipos de Semiconductores Front End / Back End!
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