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  • Sistema de etching de iones reactivos (RIE) Equipo para la industria semiconductora
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Sistema de etching de iones reactivos (RIE) Equipo para la industria semiconductora

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Descripción del Producto

Materiales aplicados:

Capa de pasivación: SiO2, SiNx
Silicio trasero
Capa adhesiva: TaN
Agujero a través: W

Característica:

1. Etching de capa de pasivación con o sin agujeros;
2. Grabado de la capa adhesiva;
3. Grabado de silicio posterior
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Especificación
Configuración del proyecto y diagrama de la estructura de la máquina
Artículo
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE
Tamaño del producto
≤6 pulgadas
≤8 pulgadas
≤8 pulgadas
Fuente de potencia RF
0-300W/500W/1000W Ajustable, emparejamiento automático
Bomba molecular
-620(L/s)/1300(L/s)/Personalizado
Antiséptico620(L/s)/1300(L/s)/Personalizado
Bomba Foreline
Bomba mecánica/bomba seca
Bomba seca
Presión de proceso
Presión no controlada/0-1Torr presión controlada
Tipo de gas
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/Personalizado
(Hasta 9 canales, sin gases corrosivos y tóxicos)
H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(Hasta 9 canales)
rango de gas
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/personalizado
CargaBloqueada
Sí/No
Sí
Control de temperatura de muestra
10°C~Temperatura ambiente/-30°C~100°C/Personalizado
-30°C~100°C/Personalizado
Enfriamiento con helio trasero
Sí/No
Sí
Forro de cavidad de proceso
Sí/No
Sí
Control de temperatura de la pared de la cavidad
No/Temperatura ambiente~60/120°C
Temperatura ambiente-60/120°C
Sistema de Control
Automático/personalizado
Material de grabado
A base de silicio: Si/SiO2/SiNx···
IV-IV: SiC
Materiales magnéticos/aleaciones
Material metálico: Ni/Cr/Al/Au.....
Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/Orgánico
película......
A base de silicio: Si/SiO2/SiNx......
III-V (nota 3): InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI (nota 3): CdTe......
Materiales magnéticos/aleaciones
Material metálico: Ni/Cr/Al/Au......
Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/película orgánica...
Resultado del proceso

Etching de material a base de silicio

Materiales a base de silicio, patrones de nano-impresión, matriz
patrones y grabado de patrones de lentes
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Grabado a temperatura normal de InP

Grabado de patrones de dispositivos basados en InP utilizados en comunicación óptica, incluyendo estructuras de guía de onda, estructuras de cavidad resonante, estructura de cresta, etc.
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Grabado de materiales SiC

Adecuado para dispositivos de microondas, dispositivos de potencia, etc.
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Esputerización física, grabado de material orgánico
Se aplica al grabado de materiales difíciles de grabar como algunos metales (como Ni / Cr) y cerámicas, y el
grabado patroneado de materiales se realiza mediante bombardeo físico.
Se utiliza para el grabado y eliminación de compuestos orgánicos como resistente a la luz (PR) / PMMA / HDMS / polímero
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Embalaje y entrega
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Perfil de la empresa
Contamos con 16 años de experiencia en ventas de equipos. Podemos ofrecerle una solución profesional integral para líneas de empaquetado de semiconductores de frontend y backend desde China.
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