Sistema de grabado de iones reactivos (RIE) Máquina para la industria de semiconductores, China Sistema de grabado de iones reactivos (RIE) Máquina para la industria de semiconductores Fabricantes, Proveedores, Fábrica

Descripción del producto

Materiales aplicados:

Capa de pasivación: SiO2, SiNx
Silicio trasero
Capa adhesiva: TaN
Agujero pasante: W

Características:

1. Grabado de la capa de pasivación con o sin agujeros;

2. Grabado de la capa adhesiva;

3. Grabado de silicona en la espalda

Sistema de grabado de iones reactivos (RIE) Proveedor de máquinas para la industria de semiconductores

Sistema de grabado de iones reactivos (RIE) Detalles de la máquina de la industria de semiconductores

Sistema de grabado de iones reactivos (RIE) Fábrica de máquinas para la industria de semiconductores

Especificaciones

Configuración del proyecto y diagrama de estructura de la máquina.

Asunto	MD150-RIE	MD200-RIE	MD200C-RIE
Tamaño del producto	≤6 pulgadas	≤8 pulgadas	≤8 pulgadas
fuente de alimentación de radiofrecuencia	0-300W/500W/1000W Ajuste automático y ajustable
bomba molecular	-/620(L/s)/1300(L/s)/Personalizado			Antiséptico620(L/s)/1300(L/s)/Personalizado
bomba delantera	Bomba mecánica/bomba seca			Bomba seca
Presión de proceso	Presión no controlada/presión controlada 0-1Torr
Tipo de gas	H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Personalizado (Hasta 9 canales, sin gases corrosivos ni tóxicos)			H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(Up to 9 channels)
Rango de gas	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/custom
Bloqueo de carga	Si no			Sí
Control de temperatura de muestra	10°C~Temperatura ambiente/-30°C~100°C/Personalizado			-30°C~100°C /Personalizado
Refrigeración trasera con helio	Si no			Sí
Revestimiento de la cavidad del proceso	Si no			Sí
Control de temperatura de la pared hueca	No/Temperatura ambiente~60/120°C			Temperatura ambiente-60/120°C
Sistema de control	Automático/personalizado
Material de grabado	A base de silicio:Si/SiO2/SiNx··· IV-IV: SiC Materiales magnéticos/materiales de aleación. Material metálico: Ni/Cr/Al/Au..... Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/Orgánico película......			A base de silicio: Si/SiO2/SiNx...... III-V(注3): InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI (注3): CdTe...... Materiales magnéticos/materiales de aleación. Material metálico: Ni/Cr/A1/Au...... Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/película orgánica...

Resultado del proceso

Grabado de materiales a base de silicona

Materiales a base de silicio, patrones de nanoimpresión, matriz.
patrones y grabado de patrones de lentes

Sistema de grabado de iones reactivos (RIE) Fabricación de máquinas para la industria de semiconductores

Grabado a temperatura normal InP

Grabado de patrones de dispositivos basados en InP utilizados en comunicaciones ópticas, incluida la estructura de guía de ondas, la estructura de cresta de la estructura de la cavidad resonante, etc.

Grabado de material SiC

Adecuado para dispositivos de microondas, dispositivos eléctricos, etc.

Pulverización física, grabado Grabado de material orgánico

Se aplica al grabado de materiales difíciles de grabar como algunos metales (como Ni/Cr) y cerámicas, y el
El corte de patrones de materiales se realiza mediante bombardeo físico.

Se utiliza para grabar y eliminar compuestos orgánicos como fotorresistente (PR)/PMMA/HDMS/polímero.

Embalaje y Entrega

Perfil de la empresa

Contamos con 16 años de experiencia en la venta de equipos. Podemos proporcionarle una solución profesional integral de equipos de línea de paquetes frontal y posterior de semiconductores de China.