Procesamiento térmico rápido
Equipos RTP para semiconductores compuestos, SlC, LED y MEMS
* Crecimiento de óxidos y nitruros.
* Aleación rápida de contacto óhmico
* Recocido de aleación de siliciuro
* Reflujo de oxidación
* Proceso de arseniuro de galio
* Otros procesos de tratamiento térmico rápido
RTP de doble cámara completamente automático
* Compatible con oblea de 6-8 pulgadas
* La temperatura máxima puede alcanzar los 1250°c.
* Reproducibilidad de temperatura estable
* Diseño de doble cámara completamente automático para aumentar la capacidad de producción.
* Uniformidad del campo de temperatura ultra alta.
* Satisfacer la demanda del proceso de producción en masa SlC
RTP semiautomático
* Calefacción del tubo de la lámpara halógena infrarroja, refrigeración mediante refrigeración por aire;
* Control de temperatura PlD para la potencia de la lámpara, que puede controlar con precisión el aumento de temperatura, asegurando una buena reproducibilidad y uniformidad de temperatura;
* La entrada del material se fija en la superficie de la WAFER para evitar la producción de puntos fríos durante el proceso de recocido y asegurar una buena uniformidad de temperatura del producto;
* Se pueden seleccionar métodos de tratamiento tanto atmosférico como al vacío, con pretratamiento y purificación del cuerpo;
* Dos conjuntos de gases de proceso son estándar y se pueden ampliar hasta 6 conjuntos de gases de proceso;
* El tamaño máximo de una muestra de silicio monocristalino medible es de 12 pulgadas (300 x 300 mm);
* Las tres medidas de seguridad de protección de apertura de temperatura segura, protección de permiso de apertura del controlador de temperatura y protección de seguridad de parada de emergencia del equipo se implementan completamente para garantizar la seguridad del instrumento;
RTP de escritorio
* Calefacción del tubo de la lámpara halógena infrarroja, refrigeración mediante refrigeración por aire;
* Control de temperatura PlD para la potencia de la lámpara, que puede controlar con precisión el aumento de temperatura, asegurando una buena reproducibilidad y uniformidad de temperatura;
* La entrada del material se fija en la superficie de la WAFER para evitar la producción de puntos fríos durante el proceso de recocido y asegurar una buena uniformidad de temperatura del producto;
* Se pueden seleccionar métodos de tratamiento tanto atmosférico como al vacío, con pretratamiento y purificación del cuerpo;
* Dos conjuntos de gases de proceso son estándar y se pueden ampliar hasta 6 conjuntos de gases de proceso;
* El tamaño máximo de una muestra de silicio monocristalino medible es de 12 pulgadas (300 x 300 mm);
* Las tres medidas de seguridad de protección de apertura de temperatura segura, protección de permiso de apertura del controlador de temperatura y protección de seguridad de parada de emergencia del equipo se implementan completamente para garantizar la seguridad del instrumento;
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