Procesamiento Térmico Rápido
Equipo RTP para semiconductores compuestos, SlC, LED y MEMS
* Crecimiento de óxidos, nitruros
* Aleación rápida de contacto ohmico
* Revestimiento de aleación de silicida
* Oxidación reflux
* Proceso de arseniuro de galio
* Otros procesos de tratamiento térmico rápido
Cámara dual completamente automática RTP
* Compatible con WAFER de 6-8 pulgadas
* La temperatura máxima puede alcanzar los 1250°c
* Reproducibilidad de temperatura estable
* Diseño de cámara dual completamente automático para aumentar la capacidad de producción
* Uniformidad del campo de ultra alta temperatura
* Satisface la demanda del proceso de producción masiva de SlC
RTP semi-automático
* Calefacción con lámpara infrarroja halógena, enfriamiento mediante enfriamiento por aire;
* Control de temperatura PlD para la potencia de la lámpara, lo que puede controlar con precisión el aumento de temperatura, asegurando buena reproducibilidad y uniformidad térmica;
* La entrada de material se establece en la superficie del WAFER para evitar la producción de puntos fríos durante el proceso de recocido y asegurar una buena uniformidad térmica del producto;
* Se pueden seleccionar tanto métodos de tratamiento a presión atmosférica como bajo vacío, con pretratamiento y purificación del cuerpo;
* Dos conjuntos de gases de proceso son estándar y se pueden expandir hasta un máximo de 6 conjuntos de gases de proceso;
* El tamaño máximo de una muestra de monocristal de silicio medible es de 12 pulgadas (300x300 MM);
* Se implementan por completo las tres medidas de seguridad de protección de apertura de temperatura segura, protección de permiso de apertura del controlador de temperatura y protección de parada de emergencia del equipo para garantizar la seguridad del instrumento;
Escritorio RTP
* Calefacción con lámpara infrarroja halógena, enfriamiento mediante enfriamiento por aire;
* Control de temperatura PlD para la potencia de la lámpara, lo que puede controlar con precisión el aumento de temperatura, asegurando buena reproducibilidad y uniformidad térmica;
* La entrada de material se establece en la superficie del WAFER para evitar la producción de puntos fríos durante el proceso de recocido y asegurar una buena uniformidad térmica del producto;
* Se pueden seleccionar tanto métodos de tratamiento a presión atmosférica como bajo vacío, con pretratamiento y purificación del cuerpo;
* Dos conjuntos de gases de proceso son estándar y se pueden expandir hasta un máximo de 6 conjuntos de gases de proceso;
* El tamaño máximo de una muestra de monocristal de silicio medible es de 12 pulgadas (300x300 MM);
* Se implementan por completo las tres medidas de seguridad de protección de apertura de temperatura segura, protección de permiso de apertura del controlador de temperatura y protección de parada de emergencia del equipo para garantizar la seguridad del instrumento;
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