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  • Wafer de semiconductor Acondicionamiento de silicio carburo por etching RIE Etching Reactivo de Iones Plasma Máquina de Remoción de Fotoresistente
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Wafer de semiconductor Acondicionamiento de silicio carburo por etching RIE Etching Reactivo de Iones Plasma Máquina de Remoción de Fotoresistente

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Descripción del Producto

Máquina de remoción de photoresist plasma RIE

Máquina de remoción de photoresist plasma RIE adecuada para el etchado de carburo de silicio, eliminación de residuos superficiales, etchado de óxido de silicio o nitrógeno de silicio, etc. La cavidad es adecuada para muestras de 4-8 pulgadas
Lijado de carburo de silicio
Limpieza superficial después del etchado
DESCUM
Capa de máscara dura, eliminación seca
Lijado de óxido de silicio o nitruro de silicio
Eliminación de resistencia óptica entre medios
Eliminación de residuos superficiales
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Especificación
Fuente de plasma
RF
Poder
ICP
_
BIAS
1000W(opción)
Ámbito de Aplicación
4~8 pulgadas
Cantidad de procesamiento individual por lote
1
Dimensiones externas
850mmx900mmx1850mm
Control del sistema
PLC
Nivel de automatización
Manual
Fábrica
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Embalaje y entrega
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Perfil de la empresa
¡16 años de experiencia en exportación de equipos! ¡Podemos ofrecerle una solución integral para Procesos y Equipos de Semiconductores de Front End!
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