Fuente de plasma |
rF |
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Poder |
ICP |
_ |
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BIAS |
1000W(opción) |
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Ámbito de Aplicación |
4~8 pulgadas |
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Cantidad de procesamiento individual por lote |
1 |
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Dimensiones externas |
850mmx900mmx1850mm |
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Control del sistema |
PLC |
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Nivel de automatización |
Manual |
Capacidad de Hardware |
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Tiempo de funcionamiento/Tiempo disponible |
≧95% |
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Tiempo medio para limpiar (MTTC) |
≦6 horas |
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Tiempo medio para reparar (MTTR) |
≦4 horas |
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Tiempo medio entre fallos (MTBF) |
≧350 horas |
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Tiempo medio entre asistencias (MTBA) |
≧24 horas |
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Wafer medio entre roturas (MWBB) |
≦1 en 10,000 wafers |
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Control de la placa de calefacción |
50-250° |
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