Mikä on nopean hienosäätökatoksen käyttötarkoitus waferin valmistusprosessissa?

Nopean lämpökuivauksen uuni käyttää haleeniinfrapunolamppua lämpötilallena, joka lämmittää materiaalia tarvittavaan lämpöön nopeasti, jotta parannetaan materiaalin kristallikonstruktiota ja optoelektronisia ominaisuuksia.

Sen ominaisuuksia ovat korkea tehokkuus, energiansäästö, korkea automatisointitaso ja tasainen lämpiminen.

Lisäksi nopea himoamiskuori on myös korkean temperatuurin hallinnan tarkkuus ja lämpötilan tasaisuus, mikä voi täyttää monien monimutkaisen prosessin tarpeet.

Nopea himoamiskuori käyttää edistynyttä mikrotietokonehallintajärjestelmää, joka yhdistetään PID-suljetun silmukan lämpötilanhallinta-tekniikkaan varmistaakseen korkean lämpötilan hallinnan tarkkuuden ja tasaisuuden.

Erittäin nopea lammitysvauhti saavutetaan tehokkaiden lämmityslähteiden kuten haliopinfraredilampujen avulla, ja kuivake lammittuu nopeasti ennalta määrättyyn lämpötilaan, jotta poistetaan joitakin vikoja kuivakkeessa ja parannetaan sen kristallikonetta ja optoelektronisia ominaisuuksia.

Tämä korkea tarkkuuksella toteutettava lämpötilanhallinta on erittäin tärkeää kuivakkeen laadulle ja se voi tehokkaasti parantaa kuivakkeen suorituskykyä ja luotettavuutta.

Kuivakkeen valmistusprosessissa nopean himoamiskuorian soveltaminen sisältää mutta ei rajoitu seuraaviin aspektiin:

1. Kristallirakenteen optimointi: korkea lämpötila edistää kristallirakenteen uudelleensuunnittelua, poistaa verkkovikaat ja parantaa kristallien järjestystä, mikä parantaa semikonduktorimateriaalien sähköjohtavuutta.

2. Impuriteettien poisto: korkea lämpötila RTP nopea anealoitus voi edistää impuriteettien diffuusiota semikonduktorikristaleista ja vähentää impuriteettien konsentraatiota.

Tämä auttaa parantamaan semikonduktorilaitteiden sähköisiä ominaisuuksia ja vähentämään impuriteetteihin liittyviä energiatasoja tai elektronien hajottumista.

3. Pohjamateriaalin poisto: CMOS-prosessissa nopeita anealoitussuoria voidaan käyttää pohjamateriaalien, kuten silicia tai silikoniitridin, poistamiseen niin, että muodostetaan ultra-ohut SOI (isolaattori silikonilla) -laitteita.