Quelle est l'utilité du four de recuit rapide dans le processus de fabrication des galettes ?

Le four de recuit rapide utilise une lampe infrarouge halogène comme source de chaleur pour chauffer le matériau à la température requise grâce à un chauffage rapide, afin d'améliorer la structure cristalline et les propriétés optoélectroniques du matériau.

Ses caractéristiques incluent une haute efficacité, une économie d'énergie, un haut degré d'automatisation et un chauffage uniforme.

De plus, le four de recuit rapide présente également une grande précision de contrôle de température et une uniformité thermique, ce qui peut répondre aux besoins de divers processus complexes.

Le four de recuit rapide utilise un système de contrôle micro-ordinateur avancé, associé à la technologie de contrôle de température en boucle fermée PID, pour garantir une grande précision de contrôle de température et une uniformité thermique.

La vitesse de chauffage extrêmement rapide est réalisée grâce à des sources de chaleur efficaces telles que les lampes halogènes infrarouges, et la galette est rapidement chauffée à une température prédéterminée, afin d'éliminer certaines défauts dans la galette et d'améliorer sa structure cristalline et ses propriétés optoélectroniques.

Ce contrôle de température haute précision est très important pour la qualité de la galette et peut améliorer efficacement les performances et la fiabilité de la galette.

Dans le processus de fabrication des galettes, l'application du four de recuit rapide inclut, mais n'est pas limitée aux aspects suivants :

1. Optimisation de la structure cristalline : une haute température favorise le réaménagement de la structure cristalline, élimine les défauts de réseau et améliore l'ordre des cristaux, ce qui augmente ainsi la conductivité électronique des matériaux semi-conducteurs.

2. Élimination des impuretés : une haute température lors du traitement RTP (Rapid Thermal Processing) peut favoriser la diffusion des impuretés hors des cristaux semi-conducteurs et réduire leur concentration.

Cela aide à améliorer les propriétés électroniques des dispositifs semi-conducteurs et à réduire les niveaux d'énergie ou la diffusion des électrons causés par les impuretés.

3. Retrait du substrat : dans le processus CMOS, des fours de recuit rapide peuvent être utilisés pour enlever les matériaux du substrat, tels que l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium, afin de former des dispositifs SOI (isolant sur silicium) ultra-minces.