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Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Apparecchiature a semiconduttore Italia

Descrizione del prodotto
Sistema di accoppiamento induttivo al plasma etching (icp).
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Dettagli delle apparecchiature a semiconduttore
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Fornitore di apparecchiature per semiconduttori
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Fabbrica di apparecchiature per semiconduttori
Risultato del processo

Incisione al quarzo/silicio/reticolo

Utilizzando la maschera BR per incidere materiali al quarzo o al silicio, il modello della matrice del reticolo ha la linea più sottile fino a 300 nm e la pendenza della parete laterale del modello è vicina a > 89°, che può essere applicata a display 3D, dispositivi micro ottici, comunicazione optoelettronica, ecc
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Fabbrica di apparecchiature per semiconduttori

Attacco di composti/semiconduttori

Il controllo accurato della temperatura superficiale del campione può controllare bene la morfologia dell'attacco di materiali a base GaN, GaAs, InP e metallici. È adatto per dispositivi LED blu, laser, comunicazione ottica e altre applicazioni.
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Produzione di apparecchiature per semiconduttori

Acquaforte di materiali a base di silicio

è adatto per incidere materiali a base di silicio come Si, SiO2 e SiNx. Può realizzare l'incisione della linea del silicio sopra i 50 nm e l'incisione del foro profondo del silicio sotto i 100um
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Fabbrica di apparecchiature per semiconduttori
Specificazione
Configurazione del progetto e schema della struttura della macchina
Articolo
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Formato del prodotto
≤6 pollici
≤8 pollici
≤6 pollici
≤8 pollici
Personalizzato≥12 pollici
Fonte di alimentazione SRF
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
Fonte di alimentazione BRF
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
Pompa molecolare
Non corrosivo: 600 /1300 (L/s)/Personalizzato
Anticorrosivo: 600 /1300 (L./s)/Personalizzato
600/1300(L/s)/Personalizzato
Pompa principale
Pompa meccanica/pompa a secco
Pompa a secco anticorrosione
Pompa meccanica/pompa a secco
Pompa di prepompaggio
Pompa meccanica/pompa a secco
Pompa meccanica/pompa a secco
Pressione di processo
Pressione non controllata/0-0.1/1/10Torr pressione controllata
Tipo di gas
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom
(Fino a 12 canali, nessun gas corrosivo e tossico)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Personalizzato (fino a 12 canali)
Gamma di gas
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
Blocco del carico
Si No
Si
Controllo del tempo del campione
10°C~Tempo ambiente/-30°C~150°C/Personalizzato
-30°C~200°C/Personalizzato
Raffreddamento posteriore ad elio
Si No
Si
Rivestimento della cavità di processo
Si No
Si
Controllo della temperatura della parete della cavità
No/Temperatura ambiente-60/120°C
Temperatura ambiente~60/120°C
Sistema di controllo
Automatico/personalizzato
Materiale per incisione
A base di silicio: Si/SiO2/
SiNx/SiC.....
Materiali organici: PR/Organico
film......
A base di silicio: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Materiale magnetico/materiale in lega
Materiali metallici: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Materiali organici: PR/Film organico......
Incisione profonda del silicio
Imballaggio e consegna
Sistema di incisione al plasma con accoppiamento induttivo (ICP) Fornitore di apparecchiature per semiconduttori
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Profilo Aziendale
Abbiamo 16 anni di esperienza nella vendita di attrezzature. Siamo in grado di fornirvi una soluzione professionale per apparecchiature di linea di pacchetto front-end e back-end a semiconduttore one-stop dalla Cina.
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Inchiesta

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