Articolo |
MD150S-ICP |
MD200S-ICP |
MD150CS-ICP |
MD200CS-ICP |
MD300C-ICP |
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Formato del prodotto |
≤6 pollici |
≤8 pollici |
≤6 pollici |
≤8 pollici |
Personalizzato≥12 pollici |
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Fonte di alimentazione SRF |
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz |
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Fonte di alimentazione BRF |
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz |
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Pompa molecolare |
Non corrosivo: 600 /1300 (L/s)/Personalizzato |
Anticorrosivo: 600 /1300 (L./s)/Personalizzato |
600/1300(L/s)/Personalizzato |
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Pompa principale |
Pompa meccanica/pompa a secco |
Pompa a secco anticorrosione |
Pompa meccanica/pompa a secco |
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Pompa di prepompaggio |
Pompa meccanica/pompa a secco |
Pompa meccanica/pompa a secco |
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Pressione di processo |
Pressione non controllata/0-0.1/1/10Torr pressione controllata |
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Tipo di gas |
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom (Fino a 12 canali, nessun gas corrosivo e tossico) |
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Personalizzato (fino a 12 canali) |
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Gamma di gas |
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom |
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Blocco del carico |
Si No |
Si |
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Controllo del tempo del campione |
10°C~Tempo ambiente/-30°C~150°C/Personalizzato |
-30°C~200°C/Personalizzato |
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Raffreddamento posteriore ad elio |
Si No |
Si |
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Rivestimento della cavità di processo |
Si No |
Si |
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Controllo della temperatura della parete della cavità |
No/Temperatura ambiente-60/120°C |
Temperatura ambiente~60/120°C |
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Sistema di controllo |
Automatico/personalizzato |
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Materiale per incisione |
A base di silicio: Si/SiO2/ SiNx/SiC..... Materiali organici: PR/Organico film...... |
A base di silicio: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Materiale magnetico/materiale in lega Materiali metallici: Ni/Cr/Al/Cu/Au... Materiali organici: PR/Film organico...... Incisione profonda del silicio |
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