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  • Sistema di Etching a Plasma a Accoppiamento Induttivo (ICP) Attrezzatura Semiconduttrice
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Sistema di Etching a Plasma a Accoppiamento Induttivo (ICP) Attrezzatura Semiconduttrice

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Descrizione del Prodotto
Sistema di incisione a plasma con accoppiamento induttivo (icp)
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Risultato del processo

Incisione di quarzo / silicio / grating

Utilizzando una maschera BR per incidere materiali di quarzo o silicio, il modello ad array di grating ha la linea più sottile fino a 300nm e la ripidità del profilo laterale è vicina a > 89°, che può essere applicata a display 3D, dispositivi micro ottici, comunicazione ottico-elettronica, ecc
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Incisione di composti / semiconduttori

Il controllo preciso della temperatura della superficie del campione consente di controllare bene la morfologia dell'incisione dei materiali a base di GaN, GaAs, InP e metalli. È adatto per dispositivi LED blu, laser, telecomunicazioni ottiche e altre applicazioni.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etching di materiale a base di silicio

è adatto per l'incisione di materiali a base di silicio come Si, SiO2 e SiNx. Può realizzare incisioni su linee di silicio superiori a 50nm e incisione di fori profondi in silicio inferiori a 100um
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Specifiche
Configurazione del progetto e diagramma della struttura della macchina
Voce
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Dimensione del prodotto
≤6 pollici
≤8 pollici
≤6 pollici
≤8 pollici
Personalizzato≥12pollici
Fonte di alimentazione SRF
0~1000W\/2000W\/3000W\/5000W Regolabile, abbinamento automatico\,13,56MHz\/27MHz
Fonte di alimentazione BRF
0~300W\/0~500W\/0~1000W Regolabile, abbinamento automatico,2MHz\/13,56MHz
Pompa Molecolare
Non corrosivo : 600 \/1300 (L\/s)\/Personalizzato
Anticorrosivo:600 \/1300 (L.\/s)\/Personalizzato
600\/1300(L\/s) \/Personalizzato
Pompa Foreline
Pompa meccanica / pompa secca
Pompa secca antincarroso
Pompa meccanica / pompa secca
Pompa preliminare
Pompa meccanica / pompa secca
Pompa meccanica / pompa secca
Pressione di processo
Pressione non controllata / 0-0.1 / 1 / 10 Torr pressione controllata
Tipo di gas
H2 / CH4 / O2 / N2 / Ar / SF6 / CF4 /
CHF3 / C4F8 / NF3 / NH3 / C2F6 / Personalizzato
(Fino a 12 canali, nessun gas corrosivo e tossico)
H2 / CH4 / O2 / N2 / Ar / SF6 / CF4 / CHF3 / C4F8 / NF3 / NH3 / C2F6 / Cl2 / BCl3 / HBr /
Personalizzato (Fino a 12 canali)
gamma di gas
0~5sccm / 50sccm / 100sccm / 200sccm / 300sccm / 500sccm / 1000sccm / Personalizzato
LoadLock
Sì/No
Sì
Controllo della temperatura del campione
10°C~Temperatura ambiente/-30°C~150°C/Personalizzata
-30°C~200°C/Personalizzata
Raffreddamento a elio retrostante
Sì/No
Sì
Foderatura della cavità di processo
Sì/No
Sì
Controllo della temperatura delle pareti della cavità
No/Temperatura ambiente-60/120°C
Temperatura ambiente~60/120°C
Sistema di Controllo
Automatico/personalizzato
Materiale per incisione
Base silicio: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Materiali organici: PR/Organico
film......
Base silicio: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Materiale magnetico / materiale lega
Materiali metallici: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Materiali organici: PR/Film organico......
Gravatura profonda in silicio
Imballaggio & consegna
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Profilo dell'azienda
Abbiamo 16 anni di esperienza nella vendita di attrezzature. Possiamo fornirvi una soluzione professionale One-stop per linee di imballaggio semiconduttore di fronte e retro da parte della Cina.
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