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PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / Processo PECVD ad alta temperatura

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Descrizione del Prodotto

PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment

◆ Il controllo automatico completo del tempo di processo, temperatura, flusso di gas, azione del valvola e pressione della camera di reazione è realizzato da
computer industriale.
◆ Viene adottato un sistema di controllo della pressione e un sistema a ciclo chiuso importati, con alta stabilità.
◆ Vengono utilizzati componenti in acciaio inox resistenti alla corrosione e valvole importate per garantire l'ermeticità del circuito di gas.
◆ Dispone di una funzione di allarme perfetta e di un dispositivo di sicurezza a interlock.
◆ Dispone di allarmi per temperature ultra-elevate e temperature sotto il minimo, allarme MFC, allarme per la pressione della camera di reazione, allarme RF, allarme per bassa pressione dell'aria compressa, allarme per bassa pressione di N2, e allarme per scarso flusso d'acqua di raffreddamento.
◆ Il PECVD esistente, dopo l'aggiornamento, ha la funzione di crescita del film di SiO2, risolvendo il problema di PID del modulo batterico. Può essere cresciuto un film di SiNxOy (processo di passivazione retro), il che può migliorare notevolmente l'efficienza di conversione della cellula.
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process supplier
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process details
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory

TIPO

◆ Quantità di carico: 384 pezzi/barchetta (125 * 125); 336 pezzi/barchetta (156 * 156)
◆ Pulizia della tavola di purificazione: Classe 100 (impianto Classe 10000)
◆ Grado di automazione: controllo automatico della temperatura e del processo.
◆ Modalità di invio e prelievo del chip: tipo atterraggio morbido, con caratteristiche stabili e affidabili, senza strisciamento, posizionamento preciso, grande capacità di carico e lunga durata.
Specifiche
Carico massimo per tubo
384 pezzi/barca（125*125）
336 pezzi/barca（156*156）
Indice di processo
± 3% nella pastiglia, ± 3% tra le pastiglie, ± 3% tra i lotti
Temperatura di funzionamento
200~500℃
Precisione e lunghezza della zona di temperatura (test statico con tubo chiuso)
1200mm±1℃
Precisione del flusso di gas
±1%FS
Stagnità dell'impianto di circuito d'aria
1×10-7Pa.m³/S
Controllo
Sistema completamente importato di regolazione automatica a ciclo chiuso della pressione, controllo preciso del vuoto di reazione; alimentazione ad alta frequenza da 40KHz
fornitura; atterraggio morbido della barca artigianale; controllo completamente digitale, protezione perfetta e sicura del processo di controllo.
1 tubo, 2 tubi, 3 tubi e 4 tubi sono opzionabili; il manipolatore di caricamento automatico è opzionale e le prestazioni dell'attrezzatura
e le prestazioni del processo possono essere paragonate con i migliori dispositivi simili nel mondo.
Imballaggio & consegna
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process manufacture
Per garantire al meglio la sicurezza dei tuoi beni, verranno forniti servizi di imballaggio professionale, ecologico, comodo ed efficiente.
Profilo dell'azienda
Abbiamo 16 anni di esperienza nella vendita di attrezzature. Possiamo fornirvi una soluzione professionale One-stop per linee di imballaggio semiconduttore di fronte e retro da parte della Cina.

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