Elaborazione termica rapida
Apparecchiature RTP per semiconduttori composti, SlC, LED e MEMS
* Crescita di ossido e nitruro
* Lega rapida a contatto ohmico
* Ricottura della lega di siliciuro
*Reflusso di ossidazione
*Processo all'arseniuro di gallio
*Altri processi di trattamento termico rapido
RTP a doppia camera completamente automatico
* Compatibile con WAFER da 6-8 pollici
* La temperatura massima può raggiungere i 1250°c
* Riproducibilità stabile della temperatura
* Design a doppia camera completamente automatico per aumentare la capacità produttiva
* Uniformità del campo a temperatura ultraelevata
* Soddisfare la domanda del processo di produzione di massa SLC
RTP semiautomatico
* Riscaldamento del tubo della lampada alogena a infrarossi, raffreddamento mediante raffreddamento ad aria;
* Controllo della temperatura PlD per la potenza della lampada, che può controllare accuratamente l'aumento della temperatura, garantendo una buona riproducibilità e uniformità della temperatura;
* L'ingresso del materiale è fissato sulla superficie WAFER per evitare la produzione di punto freddo durante il processo di ricottura e garantire una buona uniformità di temperatura del prodotto;
* È possibile selezionare sia la modalità di trattamento atmosferica che sottovuoto, con pretrattamento e purificazione della scocca;
* Due set di gas di processo sono standard e possono essere espansi fino a 6 set di gas di processo;
* La dimensione massima di un campione misurabile di silicio monocristallino è 12 pollici (300x300 mm);
* Le tre misure di sicurezza di protezione dell'apertura sicura della temperatura, protezione del permesso di apertura del regolatore di temperatura e protezione di sicurezza dell'arresto di emergenza dell'apparecchiatura sono completamente implementate per garantire la sicurezza dello strumento;
RTP desktop
* Riscaldamento del tubo della lampada alogena a infrarossi, raffreddamento mediante raffreddamento ad aria;
* Controllo della temperatura PlD per la potenza della lampada, che può controllare accuratamente l'aumento della temperatura, garantendo una buona riproducibilità e uniformità della temperatura;
* L'ingresso del materiale è fissato sulla superficie WAFER per evitare la produzione di punto freddo durante il processo di ricottura e garantire una buona uniformità di temperatura del prodotto;
* È possibile selezionare sia la modalità di trattamento atmosferica che sottovuoto, con pretrattamento e purificazione della scocca;
* Due set di gas di processo sono standard e possono essere espansi fino a 6 set di gas di processo;
* La dimensione massima di un campione misurabile di silicio monocristallino è 12 pollici (300x300 mm);
* Le tre misure di sicurezza di protezione dell'apertura sicura della temperatura, protezione del permesso di apertura del regolatore di temperatura e protezione di sicurezza dell'arresto di emergenza dell'apparecchiatura sono completamente implementate per garantire la sicurezza dello strumento;
Dettagli dell'attrezzatura
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