Sorgente PLASMA |
RF+BIAS |
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Potenza |
1000W |
1000W |
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600W |
600W |
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Campo di applicazione applicabile |
pollici 4-8 |
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Conteggio delle singole porzioni di elaborazione |
prima |
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Dimensioni dell'aspetto |
1140mm x 1050mm x 1620mm |
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Controllo del sistema |
Sistema di controllo industriale |
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Livello di automazione |
Manuale |
Capacità hardware |
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Tempo di attività/Tempo disponibile |
≧ 95% |
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Tempo medio per pulire (MTTC) |
≦6 ore |
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Tempo medio di riparazione (MTTR) |
≦4 ore |
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Tempo medio tra i guasti (MTBF) |
≧350 ore |
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Tempo medio tra l'assistente (MTBA) |
≧24 ore |
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Wafer medio tra rotto (MWBB) |
≦1 su 10,000 wafer |
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Controllo della piastra riscaldante |
50-250 ° |
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