Plasma |
rF |
rF |
||
Potenza |
ICP |
1000W |
1000W |
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BIAS |
600w(opzione) |
600w(opzione) |
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Ambito applicabile |
4~8 inch |
4~8 inch |
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Conteggio delle fette da elaborare singolarmente |
1 |
2 |
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Dimensioni di aspetto |
1080x1840x1800mm |
1340x2050x1800mm |
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controllo del sistema |
Sistema di Controllo Industriale |
Sistema di Controllo Industriale |
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Livello di automazione |
Automatico |
Automatico |
Capacità Hardware |
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Tempo di attività/Tempo disponibile |
≧95% |
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Tempo medio per pulire (MTTC) |
≦6 ore |
|
Tempo medio per riparare (MTTR) |
≦4 ore |
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Tempo medio tra guasti (MTBF) |
≧350 ore |
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Tempo medio tra assistenze (MTBA) |
≧24 ore |
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Wafer medio tra rotture (MWBB) |
≦1 su 10.000 wafer |
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Controllo della piastra riscaldante |
50-250° |
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