Fonte di plasma |
rF |
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Potenza |
ICP |
_ |
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BIAS |
1000W(opzione) |
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Ambito applicabile |
4~8 inch |
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Conteggio delle fette da elaborare singolarmente |
1 |
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Dimensioni di aspetto |
850mmx900mmx1850mm |
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controllo del sistema |
PLC |
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Livello di automazione |
Manuale |
Capacità Hardware |
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Tempo di attività/Tempo disponibile |
≧95% |
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Tempo medio per pulire (MTTC) |
≦6 ore |
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Tempo medio per riparare (MTTR) |
≦4 ore |
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Tempo medio tra guasti (MTBF) |
≧350 ore |
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Tempo medio tra assistenze (MTBA) |
≧24 ore |
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Wafer medio tra rotture (MWBB) |
≦1 su 10.000 wafer |
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Controllo della piastra riscaldante |
50-250° |
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