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  • PECVD 플라즈마 증강 화학 기상 성장 장비 / 고온 PECVD 공정
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PECVD 플라즈마 증강 화학 기상 성장 장비 / 고온 PECVD 공정

제품 설명

PECVD 플라즈마 증강 화학 기상 성장 장비

◆ 공정 시간, 온도, 가스 흐름, 밸브 동작 및 반응실 압력의 완전 자동 제어는
공업용 컴퓨터를 통해 이루어집니다.
◆ 수입 압력 제어 시스템과 폐루프 시스템을 채택하여 안정성이 높습니다.
◆ 내부식성 수입 스테인레스 파이프 피팅 및 밸브를 사용하여 기체 회로의 기밀성을 보장합니다.
◆ 완벽한 경보 기능과 안전 인터록 장치가 있습니다.
◆ 초고온 경보 및 저온 경보, MFC 경보, 반응실 압력 경보, RF 경보, 낮은 압축 공기 압력 경보, 낮은 N2 압력 경보 및 낮은 냉각수 유량 경보가 있습니다.
◆ 기존 PECVD는 업그레이드 후 SiO2 막 성장 기능이 추가되어 배터리 모듈의 PID 문제를 해결합니다. SiNxOy 막을 성장시킬 수 있어(후면 패시베이션 공정) 배터리의 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다.
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process supplier
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process details
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory

유형

◆ 적재량: 384 개/배(125 * 125); 336 개/배(156 * 156)
◆ 정화대 청결도: 100등급(10,000등급 공장)
◆ 자동화 정도: 온도 및 공정의 자동 제어
◆ 칩 송수신 모드: 소프트 랜딩 방식으로, 안정적이고 신뢰할 수 있는 특징을 가지고 있으며, 기어링이 없으며, 정확한 위치 지정, 큰 하중 용량 및 긴 수명이 특징입니다.
사양
튜브당 최대 적재량
384 개/보트(125*125)
336 개/보트(156*156)
프로세스 인덱스
타블렛 내 ±3%, 타블렛 간 ±3%, 배치 간 ±3%
작동 온도
200~500℃
온도 영역의 정확도 및 길이 (정적 폐관 테스트)
1200mm±1℃
가스 유량 정확도
±1%FS
공기 회로 시스템의 공기 밀도
1×10-7Pa.m3/S
제어
완전 수입 자동 압력 폐쇄 루프 조절 시스템, 반응 진공의 정밀한 제어; 40KHz 고주파 전력
공급, 수송선 부드러운 착륙, 완전한 디지털 제어, 완벽하고 안전한 프로세스 제어 보호.
1 튜브, 2 튜브, 3 튜브 및 4 튜브는 선택적입니다. 자동 로딩 조작기는 선택적이며 장비 성능은
그리고 프로세스 성능은 세계 최고의 유사한 장비와 비교할 수 있습니다.
포장 및 배송
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process manufacture
귀하의 상품 안전을 보다 잘 보장하기 위해 전문적이고 환경 친화적이며 편리하고 효율적인 포장 서비스를 제공할 것입니다.
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우리는 장비 판매에서 16년의 경험이 있습니다. 중국에서 One-stop 반도체 전단 및 후단 패키지 라인 장비의 전문 솔루션을 제공할 수 있습니다.

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