플라즈마 소스 |
RF |
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전력 |
ICP |
_ |
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BIAS |
1000W(옵션) |
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적용 범위 |
4~8 인치 |
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단일 처리 웨이퍼 수 |
1 |
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외형 치수 |
850mmx900mmx1850mm |
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시스템 제어 |
PLC |
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자동화 수준 |
매뉴얼 |
하드웨어 능력 |
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가동시간/사용가능 시간 |
≧95% |
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평균 청소 시간 (MTTC) |
≦6 시간 |
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평균 수리 시간(MTTR) |
≦4 시간 |
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평균 고장 간격 시간(MTBF) |
≧350 시간 |
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평균 보조 시간(MTBA) |
≧24 시간 |
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평균 파손 간격 웨이퍼(MWBB) |
≦1만 개의 웨이퍼 중 1개 |
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히팅 플레이트 제어 |
50-250° |
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