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Limpeza de Wafer Semicondutor após Etching ICP Máquina Experimental de Plasma para Remoção de Fotoresistente

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Descrição do Produto

Máquina Experimental de Plasma ICP para Remoção de Photoresist

Remoção de polímeros, etching de óxido de silício ou carbeto de silício, limpeza superficial após etching
Remoção de polímero ASHING Remoção seca de camada de máscara dura Remoção de fotoresistência após implantação de íons Remoção de resistência óptica entre meios Remoção de fotoresistência no processo BAW/SAW Limpeza seca de camada de filme gráfico anti-reflexo Etching de óxido de silício ou nitrato de silício Remoção de resíduos na superfície Limpeza da superfície após etching Etching de carbeto de silício
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Especificações
Fonte de plasma
RF+BIAS
Poder
1000W
1000W
600 W
600 W
Ámbito de Aplicação
4-8 polegadas
Contagem de fatias de processamento única
um
Dimensões externas
1140mm x 1050mm x 1620mm
Controlo do sistema
Sistema de Controle Industrial
Nível de automação
Manual
Fábrica
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Embalagem e Entrega
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Perfil da Empresa
16 anos de experiência em exportação de equipamentos! Podemos fornecer uma solução completa de Processos Front End de Semicondutores e Equipamentos!
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