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  • Sistema de Etching de Plasma acoplado Indutivamente (ICP) Equipamento Semicondutor
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Sistema de Etching de Plasma acoplado Indutivamente (ICP) Equipamento Semicondutor

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Descrição do Produto
Sistema de gravação a plasma por acoplamento indutivo (icp)
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Resultado do processo

Gravação de quartzo/silício/grade

Usando máscara BR para gravar materiais de quartzo ou silício, o padrão de matriz de grade tem a linha mais fina até 300nm e a inclinação da parede lateral do padrão é próxima de > 89°, o que pode ser aplicado em exibição 3D, dispositivos ópticos microscópicos, comunicação optoeletrônica, etc
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Gravação de compostos/semicondutores

O controle preciso da temperatura da superfície da amostra pode controlar bem a morfologia de etching de materiais baseados em GaN, GaAs, InP e metais. É adequado para dispositivos de LEDs azuis, lasers, comunicação óptica e outras aplicações.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etching de material à base de silício

é adequado para etching de materiais baseados em silício, como Si, SiO2 e SiNx. Pode realizar etching de linhas de silício acima de 50nm e etching de buracos profundos em silício abaixo de 100um
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Especificações
Configuração do projeto e diagrama da estrutura da máquina
Item
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Tamanho do Produto
≤6 polegadas
≤8 polegadas
≤6 polegadas
≤8 polegadas
Personalizado≥12polegadas
Fonte de energia SRF
0~1000W\/2000W\/3000W\/5000W Ajustável, correspondência automática\,13,56MHz\/27MHz
Fonte de energia BRF
0~300W\/0~500W\/0~1000W Ajustável, correspondência automática,2MHz\/13,56MHz
Bomba Molecular
Não corrosivo : 600 \/1300 (L\/s)\/Personalizado
Anti-corrosão:600 \/1300 (L.\/s)\/Personalizado
600\/1300(L\/s) \/Personalizado
Bomba Foreline
Bomba mecânica \/ bomba seca
Bomba seca anti corrosão
Bomba mecânica \/ bomba seca
Bomba de pré-bombeamento
Bomba mecânica \/ bomba seca
Bomba mecânica \/ bomba seca
Pressão do processo
Pressão não controlada \/ 0-0.1 \/ 1 \/ 10 Torr pressão controlada
Tipo de gás
H2 \/ CH4 \/ O2 \/ N2 \/ Ar \/ SF6 \/ CF4 \/
CHF3 \/ C4F8 \/ NF3 \/ NH3 \/ C2F6 \/ Personalizado
(Até 12 canais, sem gases corrosivos e tóxicos)
H2 \/ CH4 \/ O2 \/ N2 \/ Ar \/ SF6 \/ CF4 \/ CHF3 \/ C4F8 \/ NF3 \/ NH3 \/ C2F6 \/ Cl2 \/ BCl3 \/ HBr \/
Personalizado (Até 12 canais)
fogão a gás
0~5sccm \/ 50sccm \/ 100sccm \/ 200sccm \/ 300sccm \/ 500sccm \/ 1000sccm \/ Personalizado
LoadLock
Sim\/Não
Sim
Amostra tem controle
10°C~TemComodo/-30°C~150°C/Personalizado
-30°C~200°C/Personalizado
Resfriamento a hélio traseiro
Sim\/Não
Sim
Revestimento da cavidade de processo
Sim\/Não
Sim
Controle de temperatura da parede da cavidade
Não/TemComodo-60/120°C
TemComodo~60/120°C
Sistema de Controle
Automático/personalizado
Material de gravação
Base de silício: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Materiais orgânicos: PR/Orgânico
filme......
Base de silício: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Material magnético / material de liga
Materiais metálicos: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Materiais orgânicos: PR/Filme orgânico......
Etching profundo de silício
Embalagem e Entrega
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Perfil da Empresa
Temos 16 anos de experiência em vendas de equipamentos. Podemos fornecer uma solução profissional completa para linhas de embalagem de semicondutores de frente e trás da China.
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