Sistema de gravação de plasma de acoplamento indutivo (ICP) Equipamento semicondutor, China Sistema de gravação de plasma de acoplamento indutivo (ICP) Equipamento semicondutor Fabricantes, fornecedores, fábrica

Descrição do Produto

Sistema de gravação por plasma de acoplamento indutivo (icp)

Detalhes do equipamento semicondutor do sistema de gravação de plasma de acoplamento indutivo (ICP)

Sistema de gravação de plasma de acoplamento indutivo (ICP) Fornecedor de equipamentos semicondutores

Sistema de gravação de plasma de acoplamento indutivo (ICP) Fábrica de equipamentos semicondutores

Resultado do Processo

Gravura em quartzo/silício/grade

Usando a máscara BR para gravar materiais de quartzo ou silício, o padrão de matriz de grade tem a linha mais fina de até 300 nm e a inclinação da parede lateral do padrão é próxima de > 89°, o que pode ser aplicado a exibição 3D, dispositivos micro ópticos, comunicação optoeletrônica, etc.

Gravura de composto/semicondutor

O controle preciso da temperatura da superfície da amostra pode controlar bem a morfologia de gravação de materiais à base de GaN, GaAs, InP e metálicos. É adequado para dispositivos LED azuis, lasers, comunicação óptica e outras aplicações.

Sistema de gravação de plasma de acoplamento indutivo (ICP) Fabricação de equipamentos semicondutores

Gravura de material à base de silício

é adequado para gravar materiais à base de silício, como Si, SiO2 e SiNx. Pode realizar gravação de linha de silício acima de 50nm e gravação de furo profundo de silício abaixo de 100um

Especificação

Configuração do projeto e diagrama da estrutura da máquina

item	MD150S-ICP	MD200S-ICP	MD150CS-ICP	MD200CS-ICP	MD300C-ICP
Tamanho do produto	≤6 polegadas	≤8 polegadas	≤6 polegadas	≤8 polegadas	Personalizado≥12 polegadas
Fonte de energia SRF	0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
Fonte de energia BRF	0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
Bomba molecular	Não corrosivo: 600/1300 (L/s)/Personalizado			Anticorrosão:600 /1300 (L./s)/Personalizado		600/1300(L/s) /Personalizado
Bomba Foreline	Bomba mecânica/bomba seca			Bomba seca anticorrosão		Bomba mecânica/bomba seca
Bomba de pré-bombeamento	Bomba mecânica/bomba seca			Bomba mecânica/bomba seca
Pressão do processo	Pressão não controlada/0-0.1/1/10Torr pressão controlada
Tipo de gás	H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom (Até 12 canais, sem gases corrosivos e tóxicos)			H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Personalizado (até 12 canais)
Fogão a gás	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
Bloqueio de carga	Sim / Não			Sim
Exemplo de controle de tem	10°C~Roomtem/ -30°C~150°C /Personalizado			-30°C~200°C/Personalizado
Resfriamento traseiro com hélio	Sim / Não			Sim
Revestimento de cavidade de processo	Sim / Não			Sim
Controle de temperatura da parede da cavidade	Não/Temperatura ambiente-60/120°C			Temperatura ambiente ~60/120°C
Sistema de controle	Automático/personalizado
Material de gravação	Base de silício: Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Materiais orgânicos: PR/Orgânico filme......			Base de silício: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Material magnético/material de liga Materiais metálicos: Ni/Cr/Al/Cu/Au... Materiais orgânicos: PR/filme orgânico...... Gravura profunda em silício

Embalagem e entrega

Perfil

Temos 16 anos de experiência em vendas de equipamentos. Podemos fornecer a você uma solução profissional de equipamentos de linha de pacotes front-end e back-end de semicondutores completos da China.