MDICP-5000F Máquina de Etching ICP Totalmente Automática / Equipamento de Plasma Acoplado Indutivamente , China MDICP-5000F Máquina de Etching ICP Totalmente Automática / Equipamento de Plasma Acoplado Indutivamente Manufacturers, Suppliers, Factory

Descrição do Produto

MDICP-5000F Máquina de etching ICP totalmente automática

MDICP-5000F Fully Automatic ICP Etching Machine / Semiconductor equipment Inductively Coupled Plasma factory

Resumo executivo

O equipamento é um sistema de vácuo de duas câmaras. Uma câmara é a câmara de amostragem por injeção e a outra é a câmara de etching. Um bloqueio de vácuo está instalado entre a câmara de amostragem por injeção e a câmara de etching, e a amostragem por injeção é transportada por manipulador.
O equipamento é composto principalmente por sistema de vácuo, sistema de circuito de gás, sistema elétrico, sistema de controle, sistema de resfriamento, mecanismo de alimentação e retirada de filme, sistema de alarme, etc.

sistema de vácuo

O sistema consiste em uma bomba molecular com velocidade de bombeamento de 600 L/s + uma bomba seca de vácuo importada com velocidade de bombeamento de L/s para levar a câmara de etching a um alto vácuo. Uma válvula reguladora de pressão dinâmica elétrica está instalada entre a bomba molecular e a câmara de etching. A bomba seca importada é a bomba de pré-bombeamento da câmara de etching e a bomba de estágio anterior da bomba molecular. Use outra bomba mecânica com velocidade de bombeamento de L/s para criar vácuo na câmara de amostra. Botoeiras de aço inoxidável são usadas para conexão entre a bomba mecânica e a câmara de vácuo e a bomba molecular, e uma válvula pneumática eletromagnética está instalada.

Sistema de controle de pressão constante

O equipamento está equipado com um sistema de controle de pressão constante downstream e uma válvula ajustável elétrica é instalada no duto de extração de ar. Através da medição do manômetro de filme (peças importadas), a válvula ajustável é controlada para que a câmara de vácuo atinja uma pressão constante, melhorando assim a estabilidade do processo.

Sistema de controle de pressão constante

Sistema de Circuito de Gás

Duas unidades de fonte de alimentação RF com correspondência automática.

sistema de alarme

Requisitos de segurança para o equipamento.

Especificações

Nome	Resumo das características do medicamento	Marca	Nº./Conjunto	Nota
Câmara de etching, duto de extração de ar, janela de observação, interface reservada, etc.	Padrão	JSWN	1	Anticorrosivo
Quadro, armário elétrico, selos, peças padrão, etc.	Padrão	JSWN	1
Sistema de elevação da tampa da câmara de etching	Padrão	JSWN	1	Anticorrosivo
Eletrodo de gravação e sistema de resfriamento	Padrão	JSWN	1	Anticorrosivo
Bomba molecular (velocidade de bombeamento 600 L/s)	FF620/150	KYKY	1	Anticorrosivo
Bomba seca de entrada (velocidade de bombeamento 9 L/s)	XDS-35I	Edwards	1	Anticorrosivo
Bomba mecânica (velocidade de bombeamento 9 L/s)	TRP-36	BWVAC	1
Válvula de controle elétrica	DCQ-150	JSWN	1	Anticorrosivo
Válvula de membrana pneumática	KF40	JSWN	3	Anticorrosivo
Medidor de filme	KF16	INFICON	1	Anticorrosivo
Controlador de fluxo de massa	D07	Sevenstar	4	Anticorrosivo
Válvula pneumática de diafragma	1/4'' VCR	-	4	Anticorrosivo
Tubo de aço inoxidável, junta de tubo, etc	1/4'' VCR	-	4	Anticorrosivo
Fonte de alimentação de RF / ajustador automático	-	China(OptionalCROWN1310)	1
Fonte de alimentação de RF / ajustador automático	-	China(OptionalCROWN1310)	1
Medidor de vácuo composto	ZDF	RB	1
IPC	2U	China	1
Tela sensível ao toque LCD	- 17 polegadas.	China	1
Sistema de controlo PLC	S7-200	Siemens	1
Sistema de controle de motor elétrico	Padrão	JSWN	1
Detecção e sistema de tubulação de água de resfriamento	Padrão	JSWN	1
Detecção e sistema de tubulação de ar comprimido	Padrão	JSWN	1
Máquina de água circulante de resfriamento	hx	China	1
Câmara de injeção de gravação	Padrão	JSWN	1
Bloqueio de vácuo	SMC	SMC	1
Sistema de controle de manipulador	SMC	SMC	1

Parâmetro técnico de correspondência

1. Vácuo limite: Câmara de gravação 9,0×10-5Pa (Umidade interna≤55%)
Câmara de amostragem de injeção 6,0×10-1Pa
2. Material de gravação: Material Ⅲ, Ⅴ, Si, SiO2, etc
3. Taxa de gravação: ~ 1μ/min
4. Uniformidade de gravação: ≤±5％(faixa φ125mm)
6. Tamanho do eletrodo: φ200mm

Embalagem e Entrega

Para melhor garantir a segurança de seus produtos, serviços de embalagem profissionais, ecológicos, convenientes e eficientes serão fornecidos.

Perfil da Empresa

Temos 16 anos de experiência em vendas de equipamentos. Podemos fornecer uma solução profissional completa para linhas de embalagem de semicondutores de frente e trás da China.

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