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PECVD Equipamento de deposição química a vapor por plasma aprimorado / Processo PECVD de alta temperatura

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Descrição do Produto

PECVD Equipamento de deposição química a vapor assistida por plasma

◆ Controle totalmente automático do tempo do processo, temperatura, fluxo de gás, ação de válvulas e pressão da câmara de reação é realizado por
computador industrial.
◆ Sistema de controle de pressão importado e sistema de malha fechada são adotados, com alta estabilidade.
◆ Peças e válvulas de aço inoxidável resistente à corrosão importadas são usadas para garantir a vedação do circuito de gás.
◆ Possui função de alarme perfeita e dispositivo de segurança intertravado.
◆ Possui alarme de temperatura ultra-alta e alarme de baixa temperatura, alarme MFC, alarme de pressão da câmara de reação, alarme RF, alarme de baixa pressão de ar comprimido, alarme de baixa pressão de N2 e alarme de baixo fluxo de água de resfriamento.
◆ O PECVD existente possui, após atualização, a função de crescimento de filme de SiO2, resolvendo o problema de PID do módulo da bateria. Pode ser crescido um filme de SiNxOy (processo de passivação traseira), o que pode melhorar significativamente a eficiência de conversão da bateria.
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process supplier
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process details
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory

Tipo

◆ Quantidade de carga: 384 peças/barco (125 * 125); 336 peças/barco (156 * 156)
◆ Limpeza da mesa de purificação: Grau 100 (planta de Grau 10000)
◆ Grau de automação: controle automático de temperatura e processo.
◆ Modo de envio e recebimento de chips: tipo de pouso suave, com características estáveis e confiáveis, sem deslizamento, posicionamento preciso, grande capacidade de suporte e longa vida útil.
Especificações
Carga máxima por tubo
384 peças/barco（125*125）
336 peças/barco（156*156）
Índice de processo
± 3% na tablete, ± 3% entre tabletes, ± 3% entre lotes
Temperatura de Trabalho
200~500℃
Precisão e comprimento da zona de temperatura (teste fechado estático de tubo)
1200mm±1℃
Precisão do fluxo de gás
±1%FS
Hermeticidade do sistema de circuito de ar
1×10-7Pa.m³/S
Controlar
Sistema totalmente importado de regulação em malha fechada de pressão, controle preciso do vácuo de reação; fonte de alimentação de 40KHz de alta frequência;
aterragem suave da embarcação artesanal; controle totalmente digital, proteção perfeita e segura do controle do processo.
1 tubo, 2 tubos, 3 tubos e 4 tubos são opcionais; o manipulador automático de carregamento é opcional, e o desempenho do equipamento
e o desempenho do processo podem ser comparados com os melhores equipamentos similares do mundo.
Embalagem e Entrega
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process manufacture
Para melhor garantir a segurança de seus produtos, serviços de embalagem profissionais, ecológicos, convenientes e eficientes serão fornecidos.
Perfil da Empresa
Temos 16 anos de experiência em vendas de equipamentos. Podemos fornecer uma solução profissional completa para linhas de embalagem de semicondutores de frente e trás da China.

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