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  • Sistema de Etching por Íons Reativos (RIE) Máquina da Indústria Semicondutora
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Sistema de Etching por Íons Reativos (RIE) Máquina da Indústria Semicondutora

Descrição do Produto

Materiais aplicados:

Camada de passivação: SiO2, SiNx
Silício traseiro
Camada adesiva: TaN
Furo através: W

Característica:

1. Etching de camada de passivação com ou sem furos;
2. Gravação da camada adesiva;
3. Gravação de silício traseiro
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Especificações
Configuração do projeto e diagrama da estrutura da máquina
Item
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE
Tamanho do Produto
≤6 polegadas
≤8 polegadas
≤8 polegadas
Fonte de potência RF
0-300W/500W/1000W Ajustável, ajuste automático
Bomba Molecular
-620(L/s)/1300(L/s)/Custom
Antisséptico620(L/s)/1300(L/s)/Custom
Bomba Foreline
Bomba mecânica/bomba seca
Bomba Seca
Pressão do processo
Pressão não controlada/0-1Torr pressão controlada
Tipo de gás
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/Custom
(Até 9 canais, sem gases corrosivos e tóxicos)
H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(Até 9 canais)
fogão a gás
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/custom
LoadLock
Sim\/Não
Sim
Amostra tem controle
10°C~Temperatura da sala/-30°C~100°C/Personalizado
-30°C~100°C/Personalizado
Resfriamento a hélio traseiro
Sim\/Não
Sim
Revestimento da cavidade de processo
Sim\/Não
Sim
Controle de temperatura da parede da cavidade
Não/Temperatura da sala~60/120°C
Temperatura da sala-60/120°C
Sistema de Controle
Automático/personalizado
Material de gravação
À base de silício: Si/SiO2/SiNx···
IV-IV: SiC
Materiais magnéticos/ligas
Material metálico: Ni/Cr/Al/Au.....
Material orgânico: PR/PMMA/HDMS/Orgânico
filme......
À base de silício: Si/SiO2/SiNx......
III-V (nota 3): InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI (nota 3): CdTe......
Materiais magnéticos/ligas
Material metálico: Ni/Cr/A1/Au......
Material orgânico: PR/PMMA/HDMS/filme orgânico...
Resultado do processo

Etching de material à base de silício

Materiais à base de silício, padrões de nano-impressão, matriz
padrões e gravação de lentes
Reactive ion etching system ( RIE ) Seminconductor industry machine manufacture

Gravação a temperatura ambiente de InP

Gravação de padrões de dispositivos à base de InP usados em comunicação óptica, incluindo estrutura de guia de onda, estrutura de cavidade ressonante, estrutura em forma de crista etc.
Reactive ion etching system ( RIE ) Seminconductor industry machine factory

Gravação de materiais SiC

Adequado para dispositivos de microondas, dispositivos de potência, etc
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Esputeração física, etching de materiais orgânicos
Aplica-se à gravação de materiais difíceis de gravar, como alguns metais (como Ni/Cr) e cerâmicas, e o
etching padronizado de materiais é realizado por bombardeio físico.
Usado para gravação e remoção de compostos orgânicos, como resistente à luz (PR)/PMMA/HDMS/polimero
Reactive ion etching system ( RIE ) Seminconductor industry machine manufacture
Embalagem e Entrega
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Perfil da Empresa
Temos 16 anos de experiência em vendas de equipamentos. Podemos fornecer uma solução profissional completa para linhas de embalagem de semicondutores de frente e trás da China.
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