Item |
MD150-RIE |
MD200-RIE |
MD200C-RIE |
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Tamanho do Produto |
≤6 polegadas |
≤8 polegadas |
≤8 polegadas |
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Fonte de potência RF |
0-300W/500W/1000W Ajustável, ajuste automático |
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Bomba Molecular |
-620(L/s)/1300(L/s)/Custom |
Antisséptico620(L/s)/1300(L/s)/Custom |
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Bomba Foreline |
Bomba mecânica/bomba seca |
Bomba Seca |
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Pressão do processo |
Pressão não controlada/0-1Torr pressão controlada |
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Tipo de gás |
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Custom (Até 9 canais, sem gases corrosivos e tóxicos) |
H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(Até 9 canais) |
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fogão a gás |
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/custom |
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LoadLock |
Sim\/Não |
Sim |
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Amostra tem controle |
10°C~Temperatura da sala/-30°C~100°C/Personalizado |
-30°C~100°C/Personalizado |
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Resfriamento a hélio traseiro |
Sim\/Não |
Sim |
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Revestimento da cavidade de processo |
Sim\/Não |
Sim |
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Controle de temperatura da parede da cavidade |
Não/Temperatura da sala~60/120°C |
Temperatura da sala-60/120°C |
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Sistema de Controle |
Automático/personalizado |
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Material de gravação |
À base de silício: Si/SiO2/SiNx··· IV-IV: SiC Materiais magnéticos/ligas Material metálico: Ni/Cr/Al/Au..... Material orgânico: PR/PMMA/HDMS/Orgânico filme...... |
À base de silício: Si/SiO2/SiNx...... III-V (nota 3): InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI (nota 3): CdTe...... Materiais magnéticos/ligas Material metálico: Ni/Cr/A1/Au...... Material orgânico: PR/PMMA/HDMS/filme orgânico... |
Aplica-se à gravação de materiais difíceis de gravar, como alguns metais (como Ni/Cr) e cerâmicas, e o etching padronizado de materiais é realizado por bombardeio físico. |
Usado para gravação e remoção de compostos orgânicos, como resistente à luz (PR)/PMMA/HDMS/polimero |
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