Processamento Térmico Rápido
Equipamento RTP para semicondutores compostos SlC LED e MEMS
* Crescimento de óxido, nitrato
* Ligação rápida de contato óhmico
* Temperagem de liga de siliceto
* Refluxo de oxidação
* Processo de arseneto de gálio
* Outros processos de tratamento térmico rápido
RTP de câmara dupla totalmente automática
* Compatível com WAFER de 6-8 polegadas
* A temperatura máxima pode atingir 1250°C
* Reproducibilidade a temperatura estável
* Projeto de câmara dupla totalmente automática para aumentar a capacidade de produção
* Uniformidade do campo de temperatura ultra-alta
* Atender à procura de processo de produção em massa de SLC
RTP semi-automático
* Aquecimento por tubo de lâmpada halógena infravermelho, resfriamento usando arrefecimento a ar;
* Controle de temperatura PlD para potência da lâmpada, que pode controlar precisamente o aumento de temperatura, garantindo boa reprodutibilidade e uniformidade térmica;
* A entrada do material é definida na superfície do WAFTER para evitar a formação de pontos frios durante o processo de recristalização e garantir boa uniformidade térmica do produto;
* Podem ser selecionados tanto métodos de tratamento em atmosfera quanto em vácuo, com pré-tratamento e purificação do corpo;
* Dois conjuntos de gases de processo são padrão e podem ser expandidos para até 6 conjuntos de gases de processo;
* O tamanho máximo de uma amostra de silício monocristalino mensurável é de 12 polegadas (300x300MM);
* As três medidas de segurança de proteção contra abertura em temperatura segura, permissão de abertura do controlador de temperatura e proteção de parada de emergência do equipamento são plenamente implementadas para garantir a segurança do instrumento;
Mesa RTP
* Aquecimento por tubo de lâmpada halógena infravermelho, resfriamento usando arrefecimento a ar;
* Controle de temperatura PlD para potência da lâmpada, que pode controlar precisamente o aumento de temperatura, garantindo boa reprodutibilidade e uniformidade térmica;
* A entrada do material é definida na superfície do WAFTER para evitar a formação de pontos frios durante o processo de recristalização e garantir boa uniformidade térmica do produto;
* Podem ser selecionados tanto métodos de tratamento em atmosfera quanto em vácuo, com pré-tratamento e purificação do corpo;
* Dois conjuntos de gases de processo são padrão e podem ser expandidos para até 6 conjuntos de gases de processo;
* O tamanho máximo de uma amostra de silício monocristalino mensurável é de 12 polegadas (300x300MM);
* As três medidas de segurança de proteção contra abertura em temperatura segura, permissão de abertura do controlador de temperatura e proteção de parada de emergência do equipamento são plenamente implementadas para garantir a segurança do instrumento;
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