Plasma |
RF |
RF |
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Poder |
ICP |
1000W |
1000W |
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BIAS |
600w(opção) |
600w(opção) |
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Ámbito de Aplicação |
4~8 polegadas |
4~8 polegadas |
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Contagem de fatias de processamento única |
1 |
2 |
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Dimensões externas |
1080x1840x1800mm |
1340x2050x1800mm |
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controlo do sistema |
Sistema de Controle Industrial |
Sistema de Controle Industrial |
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Nível de automação |
Automático |
Automático |
Capacidade de Hardware |
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Tempo de funcionamento / Tempo disponível |
≧95% |
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Tempo médio para limpeza (MTTC) |
≦6 horas |
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Tempo médio para reparo (MTTR) |
≦4 horas |
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Tempo médio entre falhas (MTBF) |
≧350 horas |
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Tempo médio entre assistente (MTBA) |
≧24 horas |
|
Média de wafer entre quebras (MWBB) |
≦1 em 10.000 wafers |
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Controle do placa de aquecimento |
50-250° |
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