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Descrição do Produto

RIE PLASMA Removedor de fotorresiste

Gravura em carboneto de silício
Limpeza de superfície após gravação
DESCUM
Camada de máscara dura, remoção a seco
Gravura com óxido de silício ou nitreto de silício
Remoção de resistência óptica entre mídias
Remoção de resíduos de superfície

Detalhes da remoção residual do fotorresistente da máquina de remoção RIE PLASMA PR da indústria de semicondutores

Extração

Indústria de semicondutores RIE PLASMA PR máquina de remoção Photoresist Residual Removal fábrica

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Vantagem:

Vantagem Central

Alta taxa de degomagem: Plasma de alta densidade, taxa de degomagem rápida
Estabilidade: Após tratamento com plasma, alta reprodutibilidade
Plasma remoto: Plasma remoto, baixo dano iônico ao wafer
Software em destaque: pesquisa e desenvolvimento independente de software, animação intuitiva de processos, dados e registros detalhados
Uniformidade: O plasma pode controlar a pressão e a temperatura através da válvula borboleta
Fator de segurança: Baixo plasma reduz danos à descarga do produto.
Serviço pós-venda: Resposta rápida e estoque suficiente
Controle de poeira: Atenda aos requisitos do cliente.
Tecnologia central: Com quase 40% dos membros da equipe de P&D

Plataforma de Cassete (MD-ST 6100/620)

1. 4 transportadores de wafer
2. Alta compatibilidade: a flexibilidade da seleção do tamanho do wafer traz alto custo e eficiência da solução
3. Câmara de transferência de vácuo de alta estabilidade:
O design de transmissão de vácuo maduro e estável tem sido aplicado de forma madura no mercado há muitos anos e é bem reconhecido pelos clientes.
Design de plataforma giratória, espaço compacto, reduzindo significativamente o risco de PARTICAL
4. Interface de operação de software humanizada:
Interface intuitiva de operação de software humanizado, monitoramento em tempo real do status de funcionamento da máquina;
Alarme abrangente e funções infalíveis para evitar operação incorreta.
Função poderosa de exportação de dados, registros de vários parâmetros de processo e exportação de registros de produção de produtos.

Robô

1. O design único de seleção e posicionamento de wafer duplo traz alta produtividade
2. Melhore a eficiência do espaço.

Placa de aquecimento

1. Placa wafer de controle de temperatura de alta precisão
Placa de aquecimento de wafer desde temperatura ambiente até 250°C, precisão de controle de temperatura ±1°C
A placa de aquecimento wafer foi calibrada por instrumentos profissionais e pela uniformidade. Dentro de ±3°C, garanta a uniformidade da remoção da cola
2. Processamento de wafer duplo de câmara única
Design de wafer duplo de câmara única;
Projeto de descarga de energia independente para cada wafer, garantindo que cada wafer. Efeito redondo de remoção de PR;
Sob a premissa de garantir a eficiência da UPH, reduza o custo do produto. Compatibilidade forte
3. Capacidade de produção: câmara de reação de design de peça dupla, alta eficiência de produção.

Especificação

Fonte de PLASMA			RF
Energia	ICP	_
Energia		BIAS	1000W (opção)
Escopo aplicável			4 ~ 8 polegadas
Contagem de fatias de processamento único			1
Dimensões de aparência			850mmx900mmx1850mm
Controle de sistema			PLC
Nível de automação			manual

Capacidade de Hardware
Tempo de atividade/tempo disponível	≧ 95%
Tempo médio para limpar （MTTC）	≦6 horas
Tempo médio para reparo (MTTR)	≦4 horas
Tempo médio entre falhas（MTBF）	≧350 horas
Tempo médio entre assistência（MTBA）	≧24 horas
Wafer médio entre quebrado （MWBB）	≦1 em 10,000 bolachas
Controle de placa de aquecimento	50-250 °

Relatório de teste

Fornecedor de remoção residual fotorresistente da máquina de remoção RIE PLASMA PR da indústria de semicondutores

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