Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

главная страница
О НАС
MH Equipment
Решение
Зарубежные пользователи
видео
СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ
Главная> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников
  • Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников

Система ионно-плазменной гравировки с индуктивной связью (ICP) Оборудование для полупроводников

Описание продукта
Система травления с индуктивно связанной плазмой (icp)
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Результат процесса

Травление кварца / кремния / решетки

Использование маски BR для травления материалов из кварца или кремния, узор решетчатого массива имеет минимальную линию до 300 нм, а крутизна боковой стенки узора приближается к > 89°, что может быть применено в 3D-дисплеях, микрооптических устройствах, оптоэлектронной связи и т.д.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Травление соединений / полупроводников

Точное управление температурой поверхности образца позволяет эффективно контролировать морфологию травления материалов на основе GaN, GaAs, InP и металлов. Подходит для синих светоизлучающих диодов, лазеров, оптической связи и других приложений.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Травление на основе кремния

Подходит для травления материалов на основе кремния, таких как Si, SiO2 и SiNx. Может выполнять линейное травление кремния более 50 нм и глубокое отверстие кремния менее 100 микрон
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Характеристики
Конфигурация проекта и схема конструкции машины
Товар
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Размер продукта
≤6 дюймов
≤8 дюймов
≤6 дюймов
≤8 дюймов
На заказ ≥12дюймов
Источник питания SRF
0~1000Вт/2000Вт/3000Вт/5000Вт Настройка, автоматическое сопоставление\, 13.56МГц/27МГц
Источник питания BRF
0~300Вт/0~500Вт/0~1000Вт Настройка, автоматическое сопоставление, 2МГц/13.56МГц
Молекулярный насос
Нестойкий к коррозии: 600/1300 (л/с)/На заказ
Противокоррозийный: 600/1300 (л/с)/На заказ
600/1300 (л/с)/На заказ
Вакуумный насос
Механический насос / сухой насос
Противокоррозионный сухой насос
Механический насос / сухой насос
Насос предварительной эвакуации
Механический насос / сухой насос
Механический насос / сухой насос
Процессное давление
Неконтролируемое давление/0-0.1/1/10Torr контролируемое давление
Тип газа
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/По запросу
(До 12 каналов, без коррозийных и токсичных газов)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
По запросу (До 12 каналов)
газовая диапазона
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/По запросу
LoadLock
Да\/Нет
Да
Управление температурой образца
10°C~Комнатнаятемпературa/-30°C~150°C/По запросу
-30°C~200°C/По запросу
Обратное охлаждение гелием
Да\/Нет
Да
Облицовка процессуальной камеры
Да\/Нет
Да
Контроль температуры стенок камеры
Нет/Комнатная температура-60/120°C
Комнатная температура~60/120°C
Система управления
Автоматический/По запросу
Этching материал
На основе кремния: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Органические материалы: PR/Органика
пленка......
На основе кремния: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Магнитный материал / сплавной материал
Металлические материалы: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Органические материалы: PR/Органическая пленка......
Глубокая этching кремния
Упаковка и доставка
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Профиль компании
У нас есть 16-летний опыт продаж оборудования. Мы можем предложить вам комплексное профессиональное решение для линий упаковки переднего и заднего края полупроводников из Китая.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Запрос

Запрос Email WhatsApp WeChat
Top
×

Свяжитесь с нами