Гуанчжоу Миндер-Хайтэк Ко., Лтд.

Главная
О Нас
МХ оборудование
Решение
Зарубежные пользователи
Видео
Свяжитесь с нами
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-42
Главная> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование
  • Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование

Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Полупроводниковое оборудование Россия

Описание товара:
Система индуктивного плазменного травления (ICP)
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Детали полупроводникового оборудования
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Поставщик полупроводникового оборудования
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Завод полупроводникового оборудования
Результат процесса

Кварц/кремний/решетчатое травление

Используя маску BR для травления кварцевых или кремниевых материалов, рисунок решетки имеет тончайшую линию до 300 нм, а крутизна боковой стенки рисунка близка к> 89 °, что может быть применено к 3D-дисплею, микрооптическим устройствам, оптоэлектронной связи, и т. д.
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Завод полупроводникового оборудования

Травление соединений/полупроводников

Точный контроль температуры поверхности образца может хорошо контролировать морфологию травления материалов на основе GaN, GaAs, InP и металлов. Подходит для устройств с синими светодиодами, лазеров, оптической связи и других приложений.
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Производство полупроводникового оборудования

Травление материалов на основе кремния

он подходит для травления материалов на основе кремния, таких как Si, SiO2 и SiNx. Он может осуществлять травление линий кремния толщиной более 50 нм и травление глубоких отверстий кремния ниже 100 мкм.
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Завод полупроводникового оборудования
Спецификация
Схема конфигурации проекта и структуры машины
Товар
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Размер продукта
≤6 дюймов
≤8 дюймов
≤6 дюймов
≤8 дюймов
Пользовательские≥12 дюймов
Источник питания SRF
0~1000W/2000W/3000W/5000WAdjustable,automatic matching\,13.56MHz/27MHz
Источник питания БРФ
0~300W/0~500W/0~1000WAdjustable, automatic matching,2MHz/13.56MHz
Молекулярный насос
Некоррозионный: 600/1300 (л/с)/по индивидуальному заказу.
Антикоррозийная защита: 600/1300 (л./с)/по индивидуальному заказу.
600/1300(л/с)/по индивидуальному заказу
Форвакуумный насос
Механический насос/сухой насос
Антикоррозионный сухой насос
Механический насос/сухой насос
Насос предварительной накачки
Механический насос/сухой насос
Механический насос/сухой насос
Давление процесса
Неконтролируемое давление/контролируемое давление 0-0.1/1/10 Торр
Тип газа
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Custom
(До 12 каналов, отсутствие агрессивных и токсичных газов)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Пользовательский (до 12 каналов)
Газовая плита
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
LoadLock
Да нет
Да
Образец контроля температуры
10°C~Комнатная температура/-30°C~150°C/по индивидуальному заказу
-30°C~200°C/по индивидуальному заказу
Заднее гелиевое охлаждение
Да нет
Да
Футеровка технологической полости
Да нет
Да
Контроль температуры полых стенок
Нет/Комнатная температура - 60/120°C
Комнатная температура~60/120°C
Система контроля
Авто/пользовательский
Травильный материал
Кремниевая основа: Si/SiO2/
SiNx/SiC.....
Органические материалы:PR/Органические
фильм......
Кремниевая основа: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: Карбид кремния
II-VI: CdTe......
Магнитный материал/материал сплава
Металлические материалы: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Органические материалы: PR/Органическая пленка......
Глубокое травление кремния
Упаковка и доставка
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Поставщик полупроводникового оборудования
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Детали полупроводникового оборудования
О компании
Имеем 16-летний опыт продаж оборудования. Мы можем предоставить вам универсальное профессиональное решение по производству полупроводникового оборудования для переднего и заднего плана из Китая.
Система плазменного травления с индуктивной связью (ICP) Поставщик полупроводникового оборудования

Написать

product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-69Написать product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-70Эл. адрес product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-71WhatsApp product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-72 WeChat
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-73
product inductive coupling plasma etching system  icp  semiconductor equipment-74Рейтинг
×

Контакты