В основном используется для разработки и производства малых и средних интегральных схем, полупроводниковых компонентов, оптоэлектронных устройств, устройств на поверхностных акустических волнах, тонкопленочных схем и силовых электронных устройств. Эта машина представляет собой двустороннюю контактную экспонирующую машину со специально разработанным механизмом перепечатки, который может устранить ошибки клина подложки и обеспечить хороший контакт между верхней и нижней пластинами маски на верхней и нижней сторонах подложки, тем самым обеспечивая качество экспонирования верхнюю и нижнюю стороны подложки.
Спецификация
Основные технические параметры
1.Энергия, необходимая для оборудования: Источник питания мейнфрейма: 220 В, 50 Гц, потребляемая мощность≤1.5 кВт; 2. Оснащен вакуумным насосом с питанием 220В; 3. Размер и вес: Размер: 1200 (длина) × 720 (ширина) × 1500 (высота). Вес ≤170 кг; 4. Поместите корпус машины на специальный верстак; 5. Тип воздействия: тип контакта, выравнивание пластины, двустороннее воздействие; 6. Зона воздействия: φ100 мм; 7. Неравномерное воздействие: ≤±3%; 8. Интенсивность воздействия: ≥5 МВт/см2; 9. Разрешение экспозиции: 2 мкм; 10. Режим экспозиции: двусторонняя одновременная экспозиция; 11. Диапазон выравнивания: X: ±5 мм Y: ±5 мм; 12. Точность гравировки: 2 мкм; 13. Диапазон вращения: регулировка вращения в направлении Q≤±5°; 14.Микроскопическая система: система CCD с двойным полем зрения, объектив 1.6X~10X, компьютерная система обработки изображений, 19-дюймовый ЖК-монитор; 15. Размер маски: способен к вакуумной адсорбции.
Упаковка и доставка
О компании
Имеем 16-летний опыт продаж оборудования. Мы можем предоставить вам универсальное профессиональное решение по производству полупроводникового оборудования для переднего и заднего плана из Китая.
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
НЕТ
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
