Система реактивного ионного травления (RIE) Машины для полупроводниковой промышленности, Китай Система реактивного ионного травления (RIE) Машины для полупроводниковой промышленности Производители, Поставщики, Фабрика

Описание товара:

Применяемые материалы:

Пассивационный слой: SiO2, SiNx
Задний кремний
Клеевой слой: TaN
Сквозное отверстие: W

Особенность:

1. Травление пассивационного слоя с отверстиями или без них;

2. Травление клеевого слоя;

3. Травление кремния сзади.

Система реактивного ионного травления (RIE) Поставщик оборудования для полупроводниковой промышленности

Система реактивного ионного травления (RIE) Детали оборудования для полупроводниковой промышленности

Система реактивного ионного травления (RIE) Машиностроительный завод полупроводниковой промышленности

Спецификация

Схема конфигурации проекта и структуры машины

Товар	MD150-РИЭ	MD200-РИЭ	MD200C-RIE
Размер продукта	≤6 дюймов	≤8 дюймов	≤8 дюймов
ВЧ источник питания	0-300 Вт/500 Вт/1000 Вт Регулируемая, автоматическое согласование
Молекулярный насос	-/620(л/с)/1300(л/с)/по индивидуальному заказу			Антисептик620(л/с)/1300(л/с)/на заказ
Форвакуумный насос	Механический насос/сухой насос			Сухой насос
Давление процесса	Неконтролируемое давление/контролируемое давление 0-1 Торр
Тип газа	H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Пользовательский (До 9 каналов, отсутствие агрессивных и токсичных газов)			H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(Up to 9 channels)
Газовая плита	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/custom
LoadLock	Да нет			Да
Образец контроля температуры	10°C~комнатная температура/-30°C~100°C/по индивидуальному заказу			-30°C~100°C/на заказ
Заднее гелиевое охлаждение	Да нет			Да
Футеровка технологической полости	Да нет			Да
Контроль температуры полых стенок	Нет/комнатная температура~60/120°C			Комнатная температура - 60/120°С
Система контроля	Авто/пользовательский
Травильный материал	На основе кремния:Si/SiO2/SiNx··· IV-IV: Карбид кремния Магнитные материалы/сплавы Металлический материал: Ni/Cr/Al/Au..... Органический материал: PR/PMMA/HDMS/органический фильм......			На основе кремния: Si/SiO2/SiNx...... III-V(注3): InP/GaAs/GaN...... IV-IV: Карбид кремния II-VI (注3): CdTe...... Магнитные материалы/сплавы Металлический материал: Ni/Cr/A1/Au...... Органический материал: PR/PMMA/HDMS/органическая пленка...

Результат процесса

Травление материалов на основе кремния

Материалы на основе кремния, наноотпечатки, массив
Травление узоров и линз

Система реактивного ионного травления (RIE) Производство машин для полупроводниковой промышленности

InP травление при нормальной температуре

Травление узоров устройств на основе InP, используемых в оптической связи, включая структуру волновода, структуру резонансной полости, структуру гребня и т. д.

Травление материала SiC

Подходит для микроволновых устройств, силовых устройств и т. д.

Физическое напыление, травление. Травление органических материалов.

Применяется для травления трудно протравливаемых материалов, таких как некоторые металлы (например, Ni/Cr) и керамика, а также
Узорчатое травление материалов осуществляется методом физической бомбардировки.

Используется для травления и удаления органических соединений, таких как фоторезист (PR)/ПММА/HDMS/полимер.

Упаковка и доставка

О компании

Имеем 16-летний опыт продаж оборудования. Мы можем предоставить вам универсальное профессиональное решение по производству полупроводникового оборудования для переднего и заднего плана из Китая.